[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底内形成有若干个间隔排布的有源区；

栅极结构，位于所述基底内，且同一所述有源区中至少间隔排布有一组所述栅极结构；

绝缘衬垫层，所述绝缘衬垫层位于所述栅极结构之间，且所述绝缘衬垫层的底表面要低于所述栅极结构的顶表面；

位线接触结构，位于同一所述有源区上相邻的一组所述栅极结构之间的所述绝缘衬垫层中，且所述位线接触结构的底表面与所述栅极结构之间的所述有源区接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面为连续的非平面表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面还同时位于部分所述栅极结构上，且位于所述栅极结构上的所述绝缘衬垫层的底表面低于位于所述有源区上的所述绝缘衬垫层的底表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面不高于所述栅极结构的底表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层及高k介质层中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层内形成有空气隙。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线接触结构的高宽比为2:1～10:1。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底内还形成有源区及漏区；所述漏区位于所述位线接触结构的下方，且与所述位线接触结构的底部相接触；所述源区位于所述栅极结构远离所述漏区的一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括第一导电层、第二导电层、栅极氧化层及覆盖介质层；所述第一导电层位于所述第二导电层与所述栅极氧化层之间，所述覆盖介质层覆盖所述第一导电层及所述第二导电层的顶部，所述栅极氧化层位于所述第一导电层与所述基底之间及所述覆盖介质层与所述基底之间。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的高度为所述栅极结构的高度的1/3～3/4；所述源区的深度为所述栅极结构的高度的1/3～2/3。