[实用新型]一种可见光宽带宽高量子效率探测芯片有效
| 申请号： | 201922154107.2 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN210805802U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张军;高丹 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 郑永泉;张柳 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可见光 宽带 量子 效率 探测 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，包括芯片和集成在芯片上的顶层硅内的探测芯片，所述探测芯片单元包括衬底硅层、位于衬底硅层上的SiO2层、位于SiO2层上的顶层硅层、位于顶层硅层中的p型Si、i型Si和n型Si、位于i型Si中的空气孔阵列，以及位于p型Si和n型Si上的电极。
2.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述空气孔阵列周期为400nm-500nm，填充率为40％-60％。
3.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述芯片为SOI晶圆芯片。
4.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述i型Si位于p型Si和n型Si之间。
5.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述p型Si宽度为0.1μm-100μm，长度与i型Si宽度一致。
6.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述i型Si宽度为1μm-500μm，长度与i型Si宽度一致。
7.根据权利要求1所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片，其特征在于，所述n型Si宽度为0.1μm-100μm，长度与i型Si宽度一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
