[实用新型]一种非晶铁芯霍尔传感器有效
申请号: | 201922152421.7 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN211505847U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 涂根谋;李瑞军;范宝盛 | 申请(专利权)人: | 深圳市超磁动力科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07;G01R1/04 |
代理公司: | 北京惠智天成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11681 | 代理人: | 刘莹莹 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶铁芯 霍尔 传感器 | ||
本实用新型公开了一种非晶铁芯霍尔传感器,包括外壳体,所述外壳体的上表面设置有控制电路板容置层,所述控制电路板容置层的内部上表面中间位置处开设第一通孔,且控制电路板容置层的内部上表面位于第一通孔的外围位置处设置有非晶铁芯体容置腔,所述非晶铁芯体容置腔的内部固定安装有非晶铁芯体。本实用新型涉及传感器技术领域,该非晶铁芯霍尔传感器,通过控制电路板的上表面中间位置处开设有第二通孔,且外壳体的上表面固定设置有顶盖,顶盖的上表面中间位置处开设有第三通孔,非晶铁芯体的一侧表面开设有气隙,使该传感器高带宽,具有良好的精度和良好的线性度,可以低偏置温漂和低温度自动温漂补偿。
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,具体为一种非晶铁芯霍尔传感器。
背景技术
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,霍尔效应是磁电效应的一种,当存在垂直于电流的磁场时则发生霍尔效应,在这种情况下,磁场在垂直于磁场方向以及垂直于电流方向延伸的方向上产生被称为霍尔电压的电势差,霍尔电压的测量使得能够确定磁场的各分量的大小,霍尔传感器广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
但是目前的霍尔传感器结构比较单一,且传统的霍尔传感器是通过叠层方式安装的,从而增大了安装面积,同时当机械震动时,检测芯片随着震动测试而发生位移,使检测信号波动输出不稳定,现有的霍尔传感器因为平均磁路长、磁阻大,在磁通变化时,感应信号反应速度慢。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种非晶铁芯霍尔传感器,解决了霍尔传感器结构比较单一,且传统的霍尔传感器是通过叠层方式安装的,从而增大了安装面积,同时当机械震动时,检测芯片随着震动测试而发生位移,使检测信号波动输出不稳定,现有的霍尔传感器因为平均磁路长、磁阻大,在磁通变化时,感应信号反应速度慢的问题。
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种非晶铁芯霍尔传感器,包括外壳体,所述外壳体的上表面设置有控制电路板容置层,所述控制电路板容置层的内部上表面中间位置处开设第一通孔,且控制电路板容置层的内部上表面位于第一通孔的外围位置处设置有非晶铁芯体容置腔,所述非晶铁芯体容置腔的内部固定安装有非晶铁芯体,所述控制电路板容置层的内部固定安装有控制电路板,所述控制电路板的上表面中间位置处开设有第二通孔,且外壳体的上表面固定设置有顶盖,所述顶盖的上表面中间位置处开设有第三通孔,所述非晶铁芯体的一侧表面开设有气隙。
优选的,所述第一通孔和第二通孔以及第三通孔位于同一轴线上,所述第一通孔和第二通孔以及第三通孔之间形成了采集通道。
优选的,所述非晶铁芯体上具有霍尔元件,霍尔元件采用双通道电流检测。
优选的,所述非晶铁芯体采用非晶铁芯聚磁环低磁组。
优选的,所述非晶铁芯体是一种超薄非晶铁芯材料,且非晶铁芯体是由超薄非晶铁芯片状叠绕成一个圆环结构的整体,超薄非晶铁芯片状厚度为0.1mm。
优选的,所述非晶铁芯体的内部形成一圈一圈的螺旋层次,所述气隙是通过刀片进行切割的。
优选的,所述控制电路板与电源的输入波纹变化无关。
优选的,所述外壳体的两侧上表面拐角处均设置有螺丝孔,所述顶盖与螺丝孔之间通过螺丝固定连接。
优选的,所述非晶铁芯体容置腔的内部内外直径均等于非晶铁芯体的内外直径。
优选的,所述控制电路板容置层的内部尺寸等于控制电路板的尺寸。
有益效果
本实用新型提供了一种非晶铁芯霍尔传感器,与现有技术相比具备以下有益效果:
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