[实用新型]掩模板有效
| 申请号: | 201922150725.X | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN210573180U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
| 发明(设计)人: | 郑启涛;许邹明;张雷;田健;张贵玉;刘纯建;吴信涛;陈彤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张成新 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 模板 | ||
1.一种掩模板,其特征在于包括:
多个遮光条,所述多个遮光条布置成网格状;
掩模板正常曝光区域;以及
由所述掩模板的侧边缘构成的并且与掩模板正常曝光区域邻接的掩模板拼接曝光区域,
其中在掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有分界线,所述多个遮光条包括位于掩模板拼接曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第一遮光条和位于掩模板正常曝光区域并且交叉设置成网格状的多个第二遮光条,并且所述第一遮光条的宽度大于所述第二遮光条的宽度。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:
在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的每一个与掩模板的边的夹角小于90度。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:
在掩模板拼接曝光区域中的多个第一遮光条中的两个相邻并平行的第一遮光条之间的间距与在掩模板正常曝光区域中的多个第二遮光条中的两个相邻并平行的第二遮光条之间的间距之间的差值等于第一遮光条的线宽和第二遮光条的线宽之间的差值。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于还包括:
重叠区域,所述重叠区域的至少一部分由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成,所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸,所述重叠区域的包括第二遮光条的遮光条或包括第一遮光条和第二遮光条的遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。
5.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于还包括:
由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的重叠区域,所述重叠区域和掩模板拼接曝光区域分别由所述掩模板的两个相对的侧边缘构成并具有相同的尺寸,并且所述重叠区域的第二遮光条的中心线形成的图案与掩模板拼接曝光区域的第一遮光条的中心线形成的图案相同。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:
所述掩模板具有矩形的形状,并且所述掩模板拼接曝光区域具有矩形的形状。
7.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:
所述掩模板包括由所述掩模板的相对的两个侧边缘分别构成的两个掩模板拼接曝光区域,两个掩模板拼接曝光区域包括第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域,掩模板正常曝光区域位于第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域之间,在第一掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第一分界线并且在第二掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有第二分界线,第一分界线和第二分界线构成两个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间的分界线。
8.根据权利要求7所述的掩模板,其特征在于还包括:
由所述掩模板正常曝光区域的一部分构成的第一重叠区域,所述第一重叠区域与所述第一掩模板拼接曝光区域邻接,并与第二掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸,并且所述第一重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第二掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同;以及
由所述掩模板正常曝光区域的另一部分构成的第二重叠区域,所述第二重叠区域与所述第二掩模板拼接曝光区域邻接,并与第一掩模板拼接曝光区域具有相同的尺寸,并且所述第二重叠区域中的所述第二遮光条的中心线形成的图案与第一掩模板拼接曝光区域中的第一遮光条的中心线形成的图案相同。
9.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:
所述掩模板具有矩形的形状,所述掩模板包括由所述掩模板的四个侧边缘分别构成的四个掩模板拼接曝光区域,四个掩模板拼接曝光区域中的每两个相邻的掩模板拼接曝光区域在掩模板的角部重叠,四个掩模板拼接曝光区域形成矩形环状,四个掩模板拼接曝光区域包括相对的第一掩模板拼接曝光区域和第二掩模板拼接曝光区域;以及相对的第三掩模板拼接曝光区域和第四掩模板拼接曝光区域,掩模板正常曝光区域由四个掩模板拼接曝光区域围绕,并且四个掩模板拼接曝光区域与掩模板正常曝光区域之间具有矩形的分界线。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





