[实用新型]一种超低损耗高频电容器有效
| 申请号： | 201922130125.7 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN211507399U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 金雷;孔维彬;崔飞;金杨;徐飞 | 申请（专利权）人： | 南京汇聚新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/008 |
| 代理公司： | 南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙) 32327 | 代理人： | 殷筛网 |
| 地址： | 211300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 高频 电容器 | ||
1.一种超低损耗高频电容器，其特征在于：包括电容器本体（1）、一组内电极层（2）、钡钨铌陶瓷层（3）和外部电极；所述电容器本体（1）的两侧对称设置有外部电极；电容器本体（1）的内部设置一组内电极层（2）和钡钨铌陶瓷层（3）；所述的外部电极自内至外依次为银外电极层（4）、镍电极层（5）和锡电极层（6）；所述银外电极层（4）中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极层（2）为纯银内电极层；所述纯银内电极层中银金属粉末的粒度≦1μm；一组内电极层（2）均与外部电极电性连接；一组内电极层（2）交错设置与钡钨铌陶瓷层（3）交替堆叠。
2.根据权利要求1所述的一种超低损耗高频电容器，其特征在于：所述钡钨铌陶瓷层（3）的介电常数为17-24，损耗系数Df≦0.006%。
3.根据权利要求1所述的一种超低损耗高频电容器，其特征在于：所述的内电极层（2）设置有四个，四个内电极层（2）均与外部电极电性连接；其中两个内电极层（2）处于同一水平面，两个内电极层之间设置有间隔A（7）；另两个内电极层（2）处于同一水平面，且两个内电极层之间设置有间隔B（8）；间隔A（7）和间隔B（8）交错设置，四个内电极层（2）与钡钨铌陶瓷层（3）交替堆叠。
4.根据权利要求1所述的一种超低损耗高频电容器，其特征在于：交错设置的内电极层（2）之间的钡钨铌陶瓷层（3）的厚度为150μm-450μm。
5.根据权利要求1所述的一种超低损耗高频电容器，其特征在于：所述的内电极层（2）设置有四个，四个内电极层（2）均与外部电极电性连接；四个内电极层（2）交错设置与钡钨铌陶瓷层（3）交替堆叠。
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