[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201922128717.5 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640255U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李新;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的埋栅结构，所述埋栅结构位于所述衬底上方的凹槽中，所述埋栅结构包括自外至内依次设置于所述凹槽中的栅极介质层、第一阻挡层和金属层，所述金属层的顶部具有上表面凹陷的凹陷结构；
设置于所述埋栅结构的两侧的衬底部分的掺杂区；
覆盖于所述金属层上方的填充层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述金属层与所述填充层之间设置第二阻挡层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区包括与所述埋栅结构在第一方向上的投影无交叠的第一掺杂部分和与所述埋栅结构在第一方向上的投影有交叠区域的第二掺杂部分，所述第一方向为所述凹槽的深度方向；
所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区上方，所述第一掺杂区的掺杂浓度均匀，所述第二掺杂区的掺杂浓度自上至下递减。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区的上表面高于所述第二阻挡层的上表面。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区的下表面低于所述凹陷结构的最低点。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的上表面的最高处和最低处的高度差小于所述第二掺杂区的上表面和下表面的高度差。
7.根据权利要求4-6任一所述的半导体器件，其特征在于，还包括导电层，所述导电层位于所述第二阻挡层与所述填充层之间。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层的电阻率大于所述金属层的电阻率。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层的上表面低于所述第二掺杂区的上表面。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为叠层结构。
11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为多晶硅。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括导电层，所述导电层位于所述金属层与所述填充层之间。
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