[实用新型]一氧化碳用金属杂质取样设备

说明书

本实用新型提供了一种一氧化碳用金属杂质取样设备，包括顺次连接的一氧化碳钢瓶、调压阀和若干吸收装置，所述吸收装置包括顺次连接的流量控制器、截止阀和若干洗气瓶，所述洗气瓶内注有稀硝酸溶液。该种一氧化碳用金属杂质取样设备，将气体中金属杂质含量转换为液体中金属杂质含量，从而实现间接对CO气体中的金属杂质进行检测的目的。

技术领域

本实用新型涉及一种一氧化碳杂质吸收设备，特别是涉及一种一氧化碳用金属杂质取样设备。

背景技术

一氧化碳，一种碳氧化合物，化学式为CO，化学式量为28.0101，标准状况下为无色、无臭、无刺激性的气体。

目前，高纯电子级一氧化碳被广泛应用于芯片、平板等半导体制程中，用作等离子辅助气相沉积腔体的金属杂质吹扫气。另外，高纯一氧化碳还是一种重要刻蚀气体；此外，高纯一氧化碳也是多晶硅碳化硅外延层的碳源、部分重要医药中间体和一氧化碳激光器等高精尖行业的重要原料。

现有技术中，高纯一氧化碳的来源工艺路线主要有两大类：自主合成或工业副产气体。第一种合成路线用的是甲酸裂解，原料HCOOH为工业级别，含有微量的金属杂质；第二种工业副产气体可以是合成氨，可以是化石燃料产生的工业级一氧化碳，其中也含有微量的金属杂质。

此外，反应器、管路、管件中，ppb级极微量的金属杂质靠吹扫置换并不能完全去除，如果不额外加金属杂质去除单元，很难将半导体制程中的吹扫气CO的纯度控制在99.999％之上，即超高纯度一氧化碳。

由于高纯电子级一氧化碳用于集成电路(芯片)、平板显示、光伏、光纤等半导体制造领域，对关键痕量杂质含量要求绝对严格，比如对金属杂质要求控制在ppb级别，如果含有部分金属杂质，会对集成电路的大硅片造成颗粒物污染、金属短路、沟道漏电等后果，甚至于，CO与金属可以产生ppb级痕量的金属羰基化合物，比如Fe(CO)5、Ni(CO)4、Co2(CO)8等，与不锈钢、合金等设备材质长期接触，会使羰基金属杂质引入，使芯片制造良率下降，严重时会造成整个机台停线。

因为CO有毒，临界温度很低，属于压缩性气体(之前叫永久性气体)，ppb级金属的高准确度、痕量检测非常重要，但是也很困难，目前还没有一氧化碳金属检测方法的专利可参考，而现有的金属杂质检测设备：电感耦合等离子体质谱仪，无法检测气体杂质，只能以液体状态进样。

发明内容

有鉴于此，本实用新型旨在克服上述现有技术中存在的缺陷，提供一种一氧化碳用金属杂质取样设备，将气体中的金属杂质吸收到液体中以便通过电感耦合等离子体质谱仪进行金属杂质含量的检测。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种一氧化碳用金属杂质取样设备，包括顺次连接的一氧化碳钢瓶、调压阀和若干吸收装置，所述吸收装置包括顺次连接的流量控制器、截止阀和若干洗气瓶，所述洗气瓶内注有稀硝酸溶液。

进一步地，所述一氧化碳钢瓶和调压阀A之间连有氮气瓶，所述氮气瓶和一氧化碳钢瓶并联。

进一步地，所述氮气瓶的出气管路上设有调压阀B和过滤器。

进一步地，所述吸收装置的数量大于等于二。

优选的，所述吸收装置的数量为二。

进一步地，所述截止阀和洗气瓶之间设有缓冲瓶。

进一步地，所述稀硝酸的浓度为1％。

进一步地，所述CO的流量为50ml/min～300ml/min。

优选的，所述CO的流量为100ml/min。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：