[实用新型]一种单晶炉及其保温筒提升装置

说明书

本申请公开了一种保温筒提升装置，包括下表面具有凹槽的支撑体，用于支撑保温筒；通过凹槽与支撑体相连的L型连接体，且L型连接体具有贯穿厚度的槽孔，用于固定连接于主炉筒的内壁。保温筒提升装置中的支撑体置于支撑保温筒的底部支撑保温筒，L型连接体中水平部分通过凹槽与支撑体相连，垂直部分通过槽孔固定连接在主炉筒的内壁上，当主炉筒旋转、上升时，保温筒提升装置会带着保温筒一起旋转、上升，从而使得保温筒被取出，一方面，避免工人被烫伤，又可以避免人工对保温筒造成损伤，另一方面，保温筒随着主炉筒被提升取出，使得单晶炉内的热量快速散失，温度迅速降低，提高工作效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的单晶炉。

技术领域

本申请涉及单晶炉热场技术领域，特别是涉及一种单晶炉及其保温筒提升装置。

背景技术

单晶硅的生长一般采用直拉生长法，生产过程大致可分为：装料、抽真空、化料、引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾、晶体冷却、停炉拆清。单晶硅生产过程中会产生氧化物，这些氧化物会堆积在加热器、保温筒及真空管道上影响单晶的成晶。因此，在生长过程结束后，需要对单晶炉进行拆清，将单晶炉内的保温筒取出，清除氧化物。

目前在对保温筒进行拆清时，采用人工搬抬的方式，但是由于单晶硅生产过程中温度需要维持在1400℃左右，在停炉取出硅棒后温度仍然较高，人工搬抬的困难较大，又极易对保温筒造成损害，并且高温容易使人烫伤，造成安全事故，若将保温筒冷却至低温再进行人工搬抬，冷却时间需2-3h左右，导致工时浪费严重，生产效率低下。

因此，如何提高生产效率并且避免对保温筒造成损害是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种单晶炉及其保温筒提升装置，以提高工作效率，同时避免对保温筒造成损伤。

为解决上述技术问题，本申请提供一种保温筒提升装置，包括：

下表面具有凹槽的支撑体，用于支撑保温筒；

通过所述凹槽与所述支撑体相连的L型连接体，且所述L型连接体具有贯穿厚度的槽孔，用于固定连接于主炉筒的内壁。

可选的，所述支撑体为环状支撑体。

可选的，所述凹槽的数量为3至6个，包括端点值。

可选的，所述凹槽的深度取值范围为3毫米至10毫米，包括端点值。

可选的，所述L型连接体为不锈钢连接体或者碳-碳复合材料连接体。

可选的，所述支撑体为碳-碳复合材料支撑体。

可选的，所述提升装置为一体式结构。

本申请还提供一种单晶炉，所述单晶炉包括上述任一种所述的保温筒提升装置。

本申请所提供的保温筒提升装置，包括：下表面具有凹槽的支撑体，用于支撑保温筒；通过所述凹槽与所述支撑体相连的L型连接体，且所述L型连接体具有贯穿厚度的槽孔，用于固定连接于主炉筒的内壁。

可见，本申请中的保温筒提升装置包括带有凹槽的支撑体和与支撑体相连的L型连接体，支撑体置于支撑保温筒的底部，用于支撑保温筒，L型连接体中水平部分通过凹槽与支撑体相连，垂直部分通过槽孔固定连接在主炉筒的内壁上，当主炉筒旋转、上升时，保温筒提升装置会带着保温筒一起旋转、上升，从而使得保温筒被取出，一方面，避免采用人工搬抬方式可以避免工人被烫伤，又可以避免人工对保温筒造成损伤，另一方面，保温筒随着主炉筒被提升取出，使得单晶炉内的热量因无保温筒的阻挡而快速散失，温度迅速降低至可拆清为温度，提高工作效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的单晶炉。

附图说明