[实用新型]读写转换电路、存储器

说明书

本实用新型涉及存储技术领域，提出一种读写转换电路、存储器。该读写转换电路包括：第一预充电路、正反馈电路、第二预充电路、第四开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元、第十开关单元、第十一开关单元、第十二开关单元、第十三开关单元、第十四开关单元、第十五开关单元。该读写转换电路能够在信号读取阶段，仅通过第一信号端或者第二信号端中一个向第三信号端和第四信号端读取相应的信号，以及能够在信号写入阶段，仅通过第三信号端或者第四信号端中一个向第一信号端和第二信号端写入相应的信号。

技术领域

本实用新型涉及存储技术领域，尤其涉及一种读写转换电路、存储器。

背景技术

如图1所示，为相关技术中一种动态随机存取存储器的结构示意图。动态随机存取存储器一般包括存储器阵列01、Sa(灵敏放大器阵列)02、XDEC(行译码电路)04、YDEC(列译码电路)03、以及GdataGdata#信号的读放大电路(SSA)和写驱动电路(write driver)05。图2为图1的局部放大图，当一根WL(字线)被选中(经过XDEC译码控制)后，数据传输到上下两侧的SA，经SA放大后，再回写至选中的WL上连接的cell单元。数据需要更改或重新写入时，YDEC列译码选中相应的SA位置，数据由一组GdataGdata#，经过本地的读写转换电路(lrwap)传输到一组LdataLdata#上，再写入对应的SA及相连接的cell单元。数据读出时，数据传输的方向相反，YDEC列译码选中相应的SA位置，数据传输到一组LdataLdata#上，再由本地的读写转换电路(lrwap)传输到一组GdataGdata#，最后经SSA(second senseamplifier)放大输出。

如图3所示，为相关技术中读写转换电路一种示例性实施例的结构示意图。该读写转换电路可以将信号端Ldata的信号读取到信号端Gdata，将Ldata#的信号读取到信号端Gdata#，以及将信号端Gdata的信号写入到信号端Ldata，将信号端Gdata#的信号写入到信号端Ldata#。该读写转换电路在写入阶段，首先，通过晶体管T8、T9、T10向信号端Ldata和Ldata#写入复位电压，然后，向信号端Wr输入有效电平以导通晶体管T1和T2，从而将信号端Gdata的信号写入到信号端Ldata，将信号端Gdata#的信号能够写入到信号端Ldata#。在读取阶段，首先向信号端Gdata、Gdata#写入高电平信号，然后，向信号端Rd输入有效电平以导通晶体管T4、T6、T7，当信号端Ldata#为高电平，Ldata为低电平时，T3在信号端Ldata#作用下导通，从而将接地端GND的低电平信号传输到信号端Gdata，同时，T5在信号端Ldata作用下关断，Gdata#保持高电平。同理，当信号端Ldata#为低电平，Ldata为高电平时，Gdata#为低电平，Gdata为高电平。

然而，相关技术中，读写转换电路在写入数据和读取数据时，信号端Gdata、Gdata#需要处于相反的互补极性，即信号端Gdata、Gdata#上信号的电平逻辑相反。相关技术中读写转换电路的读写速度较慢，且与该读写转换电路连接的预充电驱动器件和写入驱动器件尺寸较大，功耗较高。

需要说明的是，在上述背景技术部分实用新型的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种读取转换电路及其驱动方法、存储器，该读取转换电路用于解决相关技术中，信号端Gdata、Gdata#必须处于相反的互补极性的技术问题。

本实用新型的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本实用新型的实践而习得。