[实用新型]一种耳鼻综合治疗设备有效

专利信息
申请号: 201922080145.8 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN211273209U 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 张俊文 申请(专利权)人: 武汉春盛电子科技有限公司
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067;A61N1/04;A61N1/05;A61N1/36;A61H39/00;H01S5/042
代理公司: 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 代理人: 张文俊
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道以南、凤*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 综合 治疗 设备
【权利要求书】:

1.一种耳鼻综合治疗设备,其特征在于:包括两路半导体激光器驱动子电路(1)、两路半导体激光器(11)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5),半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)均与电源(5)电性连接;其中:

半导体激光器驱动子电路(1)的输出端与半导体激光器(11)的输入端连通,并使半导体激光器(11)受激发光并照射耳道或者鼻腔内部;

耳垂刺激子电路(2)具有两个输入端,该两个输入端分别接入两路反相的PMW信号,且耳垂刺激子电路(2)输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管;

耳道刺激子电路(3)的输入端与耳垂刺激子电路(2)其中一个输入端共用一路PMW信号,且耳道刺激子电路(3)输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管;

穴位刺激子电路(4)输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。

2.如权利要求1所述的一种耳鼻综合治疗设备,其特征在于:所述半导体激光器驱动子电路(1)包括光耦合器、第一运输放大器A1、第二运算放大器A2和三极管Q1,光耦合器的引脚1通过开关K0与+3.3V电源电性连接;光耦合器的引脚2置为低电平;光耦合器的引脚3接地,光耦合器的引脚4与第一运算放大器A1的同相输入端电性连接;第一运算放大器A1的输出端与电阻R2的一端电性连接,电阻R2的另一端与三极管Q1的基极电性连接,三极管Q1的集电极与电容C3的一端电性连接,电容C3的另一端与+5V电源电性连接;半导体激光器(11)并联在电容C3的两端;三极管Q1的发射极分别与电阻R3的一端和第二运算放大器A2的同相输入端并联,电阻R3与电阻R4串联后并联在第二运算放大器A2的同相输入端与反相输入端之间,电阻R3与电阻R4的连接端接地;第二运算放大器A2的输出端与第一运算放大器A1的反相输入端电性连接,第二运算放大器A2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻R5和电容C2;第一运算放大器A1的反相输入端与输出端之间并联有电容C1;半导体激光器(11)的两端反向并联有瞬态抑制二极管D1。

3.如权利要求2所述的一种耳鼻综合治疗设备,其特征在于:所述耳垂刺激子电路(2)包括第一输入端、第二输入端、三极管Q2、Q3、Q4、Q5和插座J1,第一输入端和第二输入端分别接入两路反相的PMW信号;三极管Q2的基极通过电阻R6与其第一输入端电性连接,三极管Q3的基极通过电阻R7与其第二输入端电性连接;三极管Q2和Q3的发射极均接地;三极管Q2的集电极一方面通过电阻R8与三极管Q4的基极电性连接,三极管Q2的集电极还与三极管Q5的集电极电性连接;三极管Q3的集电极一方面通过电阻R9与三极管Q5的基极电性连接,三极管Q3的集电极还与三极管Q4的集电极电性连接;三极管Q4的基极通过电阻R10与其发射极并联,三极管Q5的基极通过电阻R11与其发射极并联;三极管Q4和Q5的发射极均与+5V电源电性连接;三极管Q4和Q5的集电极还分别通过电阻R12和电阻R13与插座J1的引脚1和引脚2电性连接。

4.如权利要求3所述的一种耳鼻综合治疗设备,其特征在于:所述耳道刺激子电路(3)包括第三运算放大器A3、第四运算放大器A4、三极管Q7、三极管Q8和插座J2,耳道刺激子电路(3)的输入端分别与耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第三运算放大器A3的同相输入端电性连接,第三运算放大器A3的输出端通过电阻R16与三极管Q7的基极电性连接,三极管Q7的集电极串联电阻R17后接地,三极管Q7的集电极还与第三运算放大器A3的反相输入端电性连接;三极管Q7的发射极分别与电阻R18的一端和第四运算放大器A4的同相输入端电性连接,电阻R18的另一端与电阻R19的一端并联后与电源电性连接,电阻R19的另一端与第四运算放大器A4的反相输入端电性连接;第四运算放大器A4的输出端通过电阻R20与三极管Q8的基极电性连接,三极管Q8的发射极与第四运算放大器A4的反相输入端电性连接;插座J2分别与三极管Q8的集电极和地线电性连接。

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