[实用新型]一种耳罩式中耳炎激光治疗设备

权利要求书

1.一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：包括蓄电池(1)、输出升压子电路(2)、激光器驱动子电路(3)和半导体激光器(4)，蓄电池(1)的输出端与输出升压子电路(2)的输入端电性连接，输出升压子电路(2)的输出端与激光器驱动子电路(3)的输入端电性连接，激光器驱动子电路(3)的输出端与半导体激光器(4)电性连接；蓄电池(1)的输出电压经输出升压子电路(2)升压后，输出5V工作电压供应到激光器驱动子电路(3)驱动半导体激光器(4)，激光器驱动子电路(3)驱动半导体激光器(4)受激发出激光。

2.如权利要求1所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：所述输出升压子电路(2)包括升压芯片PS3120和开关S1，蓄电池(1)的输出端通过开关S1与升压芯片PS3120的引脚5、引脚3和电容C10的一端电性连接，升压芯片PS3120的引脚1与电容C11的一端电性连接，电容C10的另一端、电容C11的另一端与升压芯片PS3120的引脚2并联后接地，升压芯片PS3120的引脚1还与激光器驱动子电路(3)的输入端电性连接。

3.如权利要求2所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：所述激光器驱动子电路(3)包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2和三极管Q1，输出升压子电路(2)输出的电压经电阻R6和R7分压后输入第一运算放大器A1的反相输入端，第一运算放大器A1的输出端通过电阻R8与三极管Q1的基极电性连接，三极管Q1的发射极分别与可调电阻R9的一端和第二运算放大器A2的同相输入端电性连接，可调电阻R9的另一端与电阻R10的一端并联后接地，电阻R10的另一端与第二运算放大器A2的反相输入端电性连接，第二运算放大器A2的输出端与第一运算放大器A1同向输入端电性连接，第二运算放大器A2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻R11；三极管Q1的集电极与输出升压子电路(2)输出端之间设置有电容C12，半导体激光器(4)并联在电容C12的两端。

4.如权利要求3所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：所述电容C12两端还反向并联有二极管D5。

5.如权利要求2所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：还包括充电电路(5)，充电电路(5)包括变压器T1、桥式整流电路BR、降压芯片TPS5340、充电芯片TP4056，变压器T1的原边与220V交流电源电性连接，变压器T1的副边与桥式整流电路BR的输入端电性连接，桥式整流电路BR的第一输出端分别与二极管D1的负极、电容C1、C2、C3、C4的一端以及降压芯片TPS5340的引脚7电性连接，桥式整流电路BR的第二输出端分别与二极管D1的正极、电容C1、C2、C3、C4的另一端以及降压芯片TPS5340的引脚6并联后接地；降压芯片TPS5340的引脚1和引脚8之间并联有电容C5，降压芯片TPS5340的引脚1还与电感L1的一端电性连接，降压芯片TPS5340的引脚8与地之间反向并联有二极管D2；电感L1的另一端分别与电容C6的一端、电阻R1的一端、电容C8的一端和充电芯片TP4056的引脚8和引脚4并联；电阻R1的另一端分别与降压芯片TPS5340的引脚4、电容C7的一端和电阻R2的一端并联，电容C7的另一端与电阻R2的另一端并联后接地；充电芯片TP4056的引脚8分别与发光二极管D3和D4的正极电性连接，发光二极管D3的负极与充电芯片TP4056的引脚6电性连接，发光二极管D4的负极与充电芯片TP4056的引脚7电性连接，充电芯片TP4056的引脚2通过电阻R5接地；充电芯片TP4056的引脚5与地之间并联有电容C9，电容C9的两端与蓄电池(1)两端并联。

6.如权利要求5所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：还包括耳罩(6)，耳罩(6)包括连接架(61)和两中空的壳体(62)，两壳体(62)相对设置在连接架(61)的两端，且两壳体(62)相对于连接架(61)滑动或者转动；两壳体(62)的表面上设置有若干通孔(63)，蓄电池(1)、输出升压子电路(2)和激光器驱动子电路(3)均设置在壳体(62)内，半导体激光器(4)穿过通孔(63)并向外延伸。

7.如权利要求6所述的一种耳罩式中耳炎激光治疗设备，其特征在于：还包括充电接口J1，充电接口J1嵌设在壳体(62)远离半导体激光器(4)的表面，充电接口J1分别与蓄电池(1)两端以及充电电路(5)的输出端电性连接。