[实用新型]一种芯片结构

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：

衬底；

与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的任意一层设置有通孔；

检测电极，所述检测电极安装于所述通孔。

2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层中的任意一层的四周均设置有通孔，所述通孔的表面均铺设有所述检测电极。

3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层包括缓冲层、应力释放层、高阻层、沟道层、势垒层以及盖帽层，所述衬底、所述缓冲层、所述应力释放层、所述高阻层、所述沟道层、所述势垒层以及所述盖帽层逐层堆叠。

4.如权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层均为氮化物功能层。

5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，制作所述缓冲层的材料包括AlN，制作所述应力释放层的材料包括AlGaN，制作所述高阻层的材料包括GaN，制作所述沟道层的材料包括GaN，制作所述势垒层的材料包括AlGaN，制作所述盖帽层的材料包括GaN。

6.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、金刚石衬底、氮化镓同质衬底中的任意一种。