[实用新型]一种芯片结构有效
申请号: | 201922074484.5 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN210607268U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛 | 申请(专利权)人: | 广东省半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L23/544;H01L21/66;H01L21/335 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 胡蓉 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 结构 | ||
1.一种芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:
衬底;
与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极;所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧;其中,所述多个功能层中的任意一层设置有通孔;
检测电极,所述检测电极安装于所述通孔。
2.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述多个功能层中的任意一层的四周均设置有通孔,所述通孔的表面均铺设有所述检测电极。
3.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述多个功能层包括缓冲层、应力释放层、高阻层、沟道层、势垒层以及盖帽层,所述衬底、所述缓冲层、所述应力释放层、所述高阻层、所述沟道层、所述势垒层以及所述盖帽层逐层堆叠。
4.如权利要求3所述的芯片结构,其特征在于,所述多个功能层均为氮化物功能层。
5.如权利要求4所述的芯片结构,其特征在于,制作所述缓冲层的材料包括AlN,制作所述应力释放层的材料包括AlGaN,制作所述高阻层的材料包括GaN,制作所述沟道层的材料包括GaN,制作所述势垒层的材料包括AlGaN,制作所述盖帽层的材料包括GaN。
6.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、金刚石衬底、氮化镓同质衬底中的任意一种。
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