[实用新型]一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构

说明书

本实用新型涉及晶片技术领域，且公开了一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构，包括R型、T型和光刻胶，R型与T型的边缘均与光刻胶的内边粘接。本实用新型解决了晶片在加工过程中会受到片盒或机械等工具的撞击，边缘应力集中容易破裂，晶片在后续元器件的制造过程中会有迅速加热或冷却的过程，这个过程中有非常许多热周期，在某些区域就会产生热应力，一旦热应力超过晶体的弹性强度，就会产生位错，而晶片的边缘正是热应力易于集中的区域，在晶片光阻液涂布过程中，表面张力会使光阻液在晶片边缘产生堆积现象；外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高，使用未经倒角的晶片容易在边缘区域产生突起的问题。

技术领域

本实用新型涉及晶片技术领域，具体为一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构。

背景技术

晶棒在切割成晶片后，边缘会形成锐利尖角或微小破碎，边缘凹凸不平、存在边缘应力、受热边缘膨胀系数不同等因素，会使得晶片在后续加工过程中很容易造成晶片破裂与崩角等现象，为此通常需要对晶片边缘进行倒角。晶片倒角主要作用有：1、避免边缘崩裂。晶片在加工过程中会受到片盒或机械等工具的撞击，边缘应力集中容易破裂，倒角可消除边缘锋利区，减少边缘崩裂的出现，利于释放应力；2、防止晶格缺陷的产生。晶片在后续元器件的制造过程中会有迅速加热或冷却的过程，这个过程中有非常许多热周期，在某些区域就会产生热应力，一旦热应力超过晶体的弹性强度，就会产生位错，而晶片的边缘正是热应力易于集中的区域。3、增加光阻层及外延层的平坦度。在晶片光阻液涂布过程中，表面张力会使光阻液在晶片边缘产生堆积现象；外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高，使用未经倒角的晶片容易在边缘区域产生突起，倒角能不同程度的改善以上两种现象。而本实用新型的目的就是，通过一种特殊倒角设计，改善后续晶片涂布工艺中边缘膜厚不匀的情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构，达到一种特殊倒角设计，改善后续晶片涂布工艺中边缘膜厚不匀的情况的目的。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构，包括R型、T型和光刻胶，R型与T型的边缘均与光刻胶的内边粘接。

优选的，所述R型倒角与T型倒角相结合，做一个圆周及平边为T型倒角、P1点为R型倒角的平片倒角。

优选的，所述R型与T型的横截面长度相同。

本实用新型提供了一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构。具备以下有益效果：