[实用新型]一种高性能的光衰减器有效

专利信息
申请号: 201922067500.8 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN210351176U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 李林虎 申请(专利权)人: 四川光陆通信技术有限公司
主分类号: H04B10/293 分类号: H04B10/293;H04B10/291
代理公司: 成都中汇天健专利代理有限公司 51257 代理人: 周成宝
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 衰减器
【权利要求书】:

1.一种高性能的光衰减器,包括可调衰减单元,衰减检测单元和控制单元,其特征在于:所述衰减检测单元包括不受通道失配影响的对数放大电路,对数放大电路输入端分别与输入光路和输出光路连接,对数放大电路输出端与控制单元连接,对数放大电路能同时检测输入光路光信号和输出光路光信号,并分别放大输出对数比信号和光功率信号至控制单元,以消除通道失配误差。

2.根据权利要求1所述的一种高性能的光衰减器,其特征在于:所述对数放大电路包括放大芯片U1,电阻R1至R10,电容C1至C10,光电二极管PD1和PD2,三极管Q1至Q4;所述光电二极管PD1阳极接电阻R4一端后接放大芯片U1引脚INP1,电阻R4另一端接电容C6后接地,光电二极管PD1阴极接电容C5一端后接供电信号,电容C5另一端接地;光电二极管PD2阳极接电阻R1一端后接放大芯片U1引脚IRF1,电阻R1另一端接电容C1后接地,光电二极管PD2阴极接三极管Q2集电极和基级以及三极管Q4基级,三极管Q2发射极接三极管Q1集电极,三极管Q1发射极接三极管Q3发射极和电容C9一端后接供电信号,三极管Q3集电极接三极管Q3基级和Q1基级后接三极管Q4发射极,三极管Q4集电极接电阻R10一端后接放大芯片U1引脚INP2,电阻R10另一端接电容C10后接地;放大芯片U1引脚IRF2接电阻R3一端后接电阻R2一端,电阻R2另一端接电容C2后接地,电阻R3另一端接放大芯片U1引脚VRDZ和引脚VREF,放大芯片U1引脚VSUM1和引脚VSUM2分别接电容C3和C4后接地;放大芯片U1引脚OUT1接电阻R9一端后接控制模块,电阻R9另一端接放大芯片U1引脚SCL1,放大芯片U1引脚OUT2接电阻R5一端后接控制模块,电阻R5另一端接放大芯片U1引脚SCL2后接电阻R6一端,电阻R6另一端接放大芯片U1引脚BIN1和引脚LOG1后接电容C8一端,电容C8另一端接地,放大芯片U1引脚BIN2接电阻R8一端后接电阻R7一端,电阻R7另一端接地,电阻R8另一端接放大芯片U1引脚LOG1后接电容C7一端,电容C7另一端接地。

3.根据权利要求2所述的一种高性能的光衰减器,其特征在于:所述放大芯片U1型号为ADL5310。

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