[实用新型]阵列基板以及显示面板有效
| 申请号: | 201922064496.X | 申请日: | 2019-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN210443561U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
| 发明(设计)人: | 韩龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 以及 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:多行像素以及与所述像素一一对应的像素驱动电路,所述阵列基板具有透明显示区和非透明显示区,所述透明显示区具有多行像素区和多行非像素区,所述非像素区的至少部分能够透光,任意相邻两行所述像素区之间设置有一行所述非像素区,每行所述像素区中设置有一行所述像素。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、与所述第一晶体管的第一极连接的发光器件、连接结构,所述第一晶体管用于给所述发光器件提供发光信号,所述第二晶体管用于将所述发光器件的多余的电荷释放,
每个所述像素驱动电路的第一晶体管位于所述像素驱动电路对应的像素所在的像素区中,每个所述像素驱动电路的第二晶体管位于所述像素驱动电路对应的像素所在的像素区的下一行像素区中,所述连接结构经过所述非像素区将所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一晶体管位于其所在的所述像素区中靠近下一行像素区的位置,每个所述第二晶体管位于其所在的像素区中靠近上一行像素区的位置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述非像素区包括走线区和非走线区,所述非走线区能够透光,所述连接结构经过所述非像素区的部分位于所述走线区中。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述连接结构由半导体材料形成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、与所述第一晶体管的第一极连接的发光器件,所述第一晶体管用于给所述发光器件提供发光信号,所述第二晶体管用于将所述发光器件的多余的电荷释放,所述每个所述像素驱动电路的第一晶体管和第二晶体管均位于所述像素驱动电路对应的像素所在的像素区中。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一晶体管和所述第二晶体管靠近其所在的像素区的同一边缘。
8.根据权利要求2或6任意一项所述的阵列基板,其特征在于,每一个所述像素驱动电路还包括驱动单元、存储电容、重置单元、发光控制单元以及数据写入单元;
所述驱动单元,用于驱动所述发光单元进行发光;
所述重置单元,用于根据第二电压端调节所述存储电容的一端的电压;
所述数据写入单元,用于通过所述存储电容的调节向所述驱动单元写入第一电压端的信号以及补偿数据;
所述发光控制单元,用于通过控制所述驱动单元而向所述第一晶体管写入显示电流,以使所述第一晶体管给所述发光器件提供发光信号。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一晶体管的栅极连接第一信号端,第二极连接第一节点;
所述第二晶体管的栅极连接第二信号端,第二极连接第二电压端;
所述驱动单元包括第三晶体管,所述第三晶体管的栅极连接第二节点,第一极连接第三节点,第二极连接第一节点;
所述重置单元包括第四晶体管,第四晶体管的栅极连接第二信号端,第一极连接第二节点,第二极连接第二电压端;
所述数据写入单元包括第五晶体管和第六晶体管,第五晶体管的栅极连接第三信号端、第一极连接第三电压端,第二极连接第三节点,第六晶体管的栅极连接第三信号端、第一极连接第一节点,第二极连接第二节点;
所述发光控制单元包括第七晶体管,第七晶体管的栅极连接第一信号端,第一极连接第三节点,第二极连接第一电压端;
所述存储电容,其第一极连接第一电压端,第二极连接第二节点。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非透明显示区中设置的像素呈阵列分布。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求1至10中任意一项的所述阵列基板;
成像装置,设置于所述透明显示区中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





