[实用新型]一种减薄磨轮有效
申请号: | 201922045294.0 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN212095975U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 匡怡君 | 申请(专利权)人: | 上海联兴商务咨询中心 |
主分类号: | B24D7/06 | 分类号: | B24D7/06 |
代理公司: | 北京市海问律师事务所 11792 | 代理人: | 陈吉云;张占江 |
地址: | 201499 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减薄磨轮 | ||
本实用新型提供一种减薄磨轮,所述减薄磨轮至少包括底座和第一组件,所述底座包括至少一个凹槽,所述凹槽用于固定所述第一组件,所述第一组件包括至少一个钻石锭。该减薄磨轮通过钻石锭的形状设计,提高了芯片减薄质量,解决了芯片减薄由于杂质掉落容易造成刮伤和表面不平整的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶片加工领域,具体涉及一种减薄磨轮。
背景技术
单晶碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小和耐磨性能好,并且具有宽禁带宽度大、击穿场强和饱和电子迁移率高等优异性能,被广泛应用于电力电子、射频器件和光电子器件等技术领域。
现有技术中,对碳化硅单晶的加工涉及切、磨和抛等技术,具体包括切割、研磨、导角、减薄、抛光、清洗、检验和包装等流程。其中,芯片的减薄可分别使用传统的铜抛方式减少芯片厚度,以及使用减薄机磨轮磨削芯片以减少厚度。其中,在使用减薄机磨轮磨削芯片时,磨轮会造成芯片表面刮伤,尤其是当磨轮中的钻石颗粒掉落后,若掉落的钻石颗粒无法顺利离开芯片磨削区域,其在芯片磨削区域的滞留会造成芯片表面严重刮伤,还会造成芯片整体厚度的不平整,从而使得芯片减薄的成本变高并且效率降低。
因此,本领域技术人员亟需一种技术可以解决在芯片减薄加工过程中,由于磨轮中杂质(例如钻石颗粒)的掉落而造成芯片严重刮伤以及芯片表面不平整的问题。
发明内容
为解决上述芯片减薄容易刮伤和表面不平整的缺陷,本实用新型提供了一种减薄磨轮,其目的在于通过改变磨轮与芯片接触表面的结构,使得磨轮中掉落的杂质可以顺利离开磨削区域。
为了实现上述目的,本实用新型采用的一种技术方案是:一种减薄磨轮,所述减薄磨轮至少包括底座和第一组件,所述底座包括至少一个凹槽,所述凹槽用于固定所述第一组件,所述第一组件包括至少一个钻石锭。
优选地,所述凹槽形状与所述第一组件形状相同,所述第一组件通过黏着剂固定连接所述凹槽。
优选地,所述钻石锭呈S型,或者Z型,或者倒S型,或者倒Z型,多个钻石锭以沿底座圆周方向均匀分布的方式排列在所述底座上。
优选地,所述第一组件包括至少8~32个钻石锭,所述底座为铝合金底座。
优选地,所述钻石锭为一体成形。
优选地,所述钻石锭在所述底座上的位置呈中心对称。
与现有技术相比,本实用新型提供的优点在于,可以使得磨轮中脱落的诸如钻石颗粒的杂质快速离开磨削区域,从而避免芯片减薄过程中被严重刮伤,以及造成芯片表面不平整的问题,因而可以提高芯片减薄的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简要说明,显然,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,并不构成对本发明保护范围的限制。在理解本发明目的和精神的情况下,本领域普通技术人员可根据其掌握的常识对其进行适当扩展。
图1:本实用新型一个实施例提供的减薄磨轮结构示意图;
图2:本实用新型另一个实施例提供的减薄磨轮结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型的保护的范围。
利用本实用新型提供的减薄磨轮提高芯片减薄质量的原理在于,当磨轮在磨削芯片时,掉落的诸如钻石颗粒的杂质可以借由钻石锭的设计形状,被顺利地推离芯片磨削区域。
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