[实用新型]光电探测单元、光电探测结构及光电探测器

说明书

本申请涉及光电探测单元、光电探测结构及光电探测器，其中，光电探测单元包括第一基底；第一结构，具有第一掺杂类型，形成于第一基底的正面上；第二结构，具有第二掺杂类型，形成于第一结构内，第一结构具有包围第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；第一光处理层，具有凹凸结构，形成于第二结构的上表面；重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于侧壁内，重掺杂区的掺杂浓度大于侧壁的掺杂浓度；第一电极，与重掺杂区电连接；第二电极，与第二结构电连接。在本申请中，第一结构和第二结构形成光探测层，在光探测层上形成第一光处理层，通过第一光处理层对入射光线进行多次反射以增加光程，提高光探测层的光吸收效率。

技术领域

本实用新型涉及光电探测领域，尤其涉及一种光电探测单元、光电探测结构及光电探测器。

背景技术

光电探测结构是激光雷达、ToF(Time of Flight，飞行时间)设备以及深度成像设备等设备的核心结构，随着科技的进步，对光电探测器的探测精度要求也越来越高。影响探测精度的因素包括光吸收效率以及光电探测结构内部噪声干扰。根据光吸收效率与光传播光程成正相关的关系，目前，提高光吸收效率的方式主要是增加光探测层的厚度，通过增加光探测层的厚度来增大光传播光程。然而，增加光探测层的厚度，一方面，会增大光电探测结构的加工难度，降低成品率，另一方面，增加光探测层的厚度还会增加抖动时间，继而降低探测的准确度。

实用新型内容

基于此，本申请针对目前光电探测结构的探测精度难以提升的技术问题，提出一种新的光电探测单元、光电探测结构、光电探测器。

本申请提出的一种光电探测单元为：

一种光电探测单元，包括：

第一基底；

第一结构，具有第一掺杂类型，形成于所述第一基底上；

第二结构，具有第二掺杂类型，形成于所述第一结构内，所述第一结构具有包围所述第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；

第一光处理层，形成于所述第二结构的上表面，所述第一光处理层的表面具有凹凸结构；

重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于所述侧壁内，所述重掺杂区的掺杂浓度大于所述侧壁的掺杂浓度；

第一电极，与所述重掺杂区电连接；及

第二电极，与所述第二结构电连接。

本申请提出的一种光电探测结构为：

一种光电探测结构，包括：

多个光电探测单元，所述光电探测单元为上述任一项所述的光电探测单元。

本申请提出的一种光电探测器为：

一种光电探测器，包括：

第二晶片，所述第二晶片包括第二基底和形成于所述第二基底内的处理电路；

第一晶片，所述第一晶片包括上述任一项所述的光电探测结构，所述第一电极和所述第二电极从所述第一晶片的正面引出，所述第一晶片的正面倒接于所述第二晶片上，使所述第一电极和第二电极与所述处理电路电连接。