[实用新型]铸锭炉有效
申请号: | 201922018619.6 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN211814716U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈伟;陈志军;李林东;唐姗姗;王全志 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B11/00;C30B29/06 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铸锭 | ||
本实用新型公开了一种铸锭炉,其包括坩埚以及位于所述坩埚底部的热交换块,所述铸锭炉还包括设置于所述热交换块下侧的冷却盘以及与所述冷却盘连接供冷却液流动的导液管;本实用新型所涉及的铸锭炉在传统设计基础上增设了冷却盘以及与冷却盘连接的导液管,如此在采用铸锭炉进行晶体硅铸锭的开笼散热定向长晶环节中,可加快热交换块底部的散热速度,进而降低热场在横向方向上的温度梯度,使得所铸硅锭的中间区域与周边区域具有基本一致的长晶速度,进而获取低缺陷的晶体硅。
技术领域
本实用新型涉及晶体硅铸锭技术领域,尤其涉及一种铸锭炉。
背景技术
类单晶硅是在热场中铸锭成型的,热场的优劣对类单晶硅质量有很大影响。目前类单晶硅的铸锭主要采用五面(四侧及顶部)加热与开笼散热定向长晶的方式来实现。其中,在开笼散热时,坩埚内可形成使熔融硅料由底部向上结晶的温度梯度,在此过程中,隔热笼底部主要是靠热交换块将热量辐射到底部炉体内壁。然基于目前铸锭炉的设置结构,隔热笼底部中心位置处的散热速度相对周边区域的散热速度还是具有较大差距,这使得整个热场在横向方向上的温度梯度大,即坩埚的四周和中心散热量分布不均匀。如此导致类单晶硅在边部位置处的结晶晶粒呈倾斜生长,严重影响类单晶硅四周晶粒生长单晶面积,所制得类单晶硅会出现高位错等不良现象。
有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述发明目的,本发明提供了一种铸锭炉,其具体设计方式如下。
一种铸锭炉,包括坩埚以及位于所述坩埚底部的热交换块,所述铸锭炉还包括设置于所述热交换块下侧的冷却盘以及与所述冷却盘连接供冷却液流动的导液管。
进一步,所述导液管包括蜿蜒分布于所述冷却盘背离所述热交换块一侧表面的制冷段。
进一步,所述导液管还包括与所述制冷段两端分别连通的进液段与出液段,所述制冷段的两端均位于所述冷却盘背离所述热交换块一侧的中间区域,所述进液段与所述出液段分别自所述制冷段相应端口朝远离所述热交换块的一侧方向延伸。
进一步,所述铸锭炉包括两根导液管,两根所述导液管的所述制冷段呈中心对称分布于所述冷却盘背离所述热交换块的一侧表面。
进一步,所述冷却盘背离所述热交换块的一侧表面凹陷形成有供所述制冷段嵌入贴合的配合槽。
进一步,所述导液管的制冷段为圆形管,所述配合槽的最大深度与所述制冷段的外径一致。
进一步,所述制冷段配合至所述冷却盘的一侧呈平面状。
进一步,所述冷却盘为铜板。
进一步,所述冷却盘中心位置处设置有安装孔,所述铸锭炉还具有设置于所述安装孔内的温度传感器。
本实用新型的有益效果是:本实用新型所涉及的铸锭炉在传统铸锭炉的基础上增设了冷却盘以及与冷却盘连接的导液管,基于该设置,在采用铸锭炉进行晶体硅铸锭的开笼散热定向长晶环节中,可加快热交换块底部的散热速度,进而降低热场在横向方向上的温度梯度,使得所铸硅锭的中间区域与周边区域具有基本一致的长晶速度,进而获取低缺陷的晶体硅。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1所示为本实用新型中冷却盘与导液管配合后的第一角度示意图;
图2所示为冷却盘与导液管配合前的示意图;
图3所示为冷却盘与导液管配合后的第二角度示意图;
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