[实用新型]晶圆传送装置及半导体处理设备有效
| 申请号: | 201921997172.5 | 申请日: | 2019-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN210837701U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 任春虎 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传送 装置 半导体 处理 设备 | ||
1.一种晶圆传送装置,其特征在于,包括:
底座;
机械臂,所述机械臂一端固定于所述底座,可绕所述底座转动,另一端设置有承载部,所述承载部具有一承载表面,用于放置晶圆;
静电吸附组件,与所述承载部之间相对固定连接,用于通过静电吸附力将晶圆吸附于所述承载部表面。
2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述静电吸附组件内嵌于所述承载部内。
3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述静电吸附组件的吸附表面与所述承载部的承载表面齐平。
4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述静电吸附组件包括至少两个电极,其中至少一个正电极和至少一个负电极,所述正电极与所述负电极之间绝缘隔离。
5.根据权利要求4所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述静电吸附组件包括两个正电极和两个负电极,所述正电极与所述负电极相互间隔设置。
6.根据权利要求5所述的晶圆传送装置,其特征在于,各个所述负电极之间相互电连接,各个所述正电极之间相互电连接。
7.根据权利要求5所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述正电极和负电极为圆环形。
8.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述承载部的承载表面为圆形,所述承载部采用绝缘材料。
9.根据权利要求4所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述静电吸附组件还包括电源,所述电源负极连接至各个所述负电极,所述电源的正极连接至各个所述正电极,用于向所述正电极和所述负电极施加电压。
10.根据权利要求9所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述正电极和所述负电极上施加的电压的范围为8mV~15mV。
11.根据权利要求1所述的晶圆传送装置,其特征在于,还包括:控制装置,所述控制装置包括:控制模块、信号处理模块、继电器;所述控制模块用于发出控制机械臂的升降指令,所述信号处理模块与所述控制模块连接,用于解析所述升降指令,向继电器发出对应的上升信号或下降信号,所述继电器与所述信号处理模块和所述静电吸附组件连接,当接收到上升信号,所述继电器控制所述静电吸附组件产生静电吸附力,当接收到下降信号,所述继电器控控制所述静电吸附组件停止产生静电吸附力。
12.根据权利要求11所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述继电器还连接至所述底座,所述底座可升降,所述继电器接收到上升信号时,控制所述底座上升;所述继电器接收到下降信号时,控制所述底座下降。
13.根据权利要求11所述的晶圆传送装置,其特征在于,还包括:报警装置,用于在所述机械臂传送晶圆次数达到阈值时,发出需要更换继电器的警报。
14.根据权利要求13所述的晶圆传送装置,其特征在于,所述阈值大于等于50000。
15.一种半导体处理装置,其特征在于,包括:如权利要求1至14中任一项所述的晶圆传送装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





