[实用新型]影像传感芯片的封装结构有效
申请号: | 201921993340.3 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN210805774U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王凯厚;杨剑宏;朱程亮;吴明轩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种影像传感芯片的封装结构。该影像传感芯片的封装结构包括:基底,所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区,所述非透光区设置有布线线路;所述基底包括滤光层,所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区;倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片,所述影像传感器芯片包括感应区,所述感应区朝向所述基底的一侧设置,所述感应区与所述透光区对应。本实用新型实施例不仅可以将滤光层的厚度设置的较薄,有利于封装结构的轻薄化和有利于电子设备的小型化。
技术领域
本实用新型实施例涉及图像采集技术领域,尤其涉及一种影像传感芯片的封装结构。
背景技术
随着科学技术的不断发展,越来越多的电子设备广泛应用于人们的日常生活和工作当中,为人们带来了极大的便利,成为人们不可或缺的重要工具。
在现有技术中,通过在电子设备集成镜头和影像传感器芯片等影像传感组件,以使电子设备具备生物识别功能,例如,虹膜识别。虹膜识别不易复制和盗取,具有对身份识别的安全性较高的优势,因此,影像传感器芯片得到了越来越广泛的应用。然而,现有的影像传感器芯片的封装结构不利于电子设备的小型化。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种影像传感芯片的封装结构,以有利于电子设备的小型化。
为实现上述技术目的,本实用新型实施例提供了如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装结构,包括:
基底,所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区,所述非透光区设置有布线线路;所述基底包括滤光层,所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区;
倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片,所述影像传感器芯片包括感应区,所述感应区朝向所述基底的一侧设置,所述感应区与所述透光区对应。
本实用新型实施例设置滤光层位于基底上,且位于透光区和非透光区,影像传感器芯片倒装设置于基底上远离滤光层的一侧,感应区朝向基底的一侧设置,感应区与透光区对应,以使传输至影像传感器芯片的光线均会通过滤光层。在现有技术中,电子设备中的滤光片卡接在镜头上,且滤光片的厚度较厚,以能够与镜头进行机械连接,另外,卡接组件的尺寸也较大,因此,现有的滤光片的设置方式不利于电子设备的小型化。与现有技术不同的是,本实用新型实施例将滤光层设置在影像传感器芯片的封装结构中,因此,与现有技术相比,一方面,本实用新型实施例可以采用贴合工艺将滤光层贴合在基底上,由于贴合工艺对滤光层的厚度要求较低,因此可以将滤光层的厚度设置的较薄,以有利于影像传感器芯片的封装结构的轻薄化;另一方面,本实用新型实施例可以采用贴合工艺,而无需使用卡接组件,避免了卡接组件占用电子设备的空间。综上,本实用新型实施例提供的影像传感器芯片的封装结构有利于电子设备的小型化。
进一步地,所述基底还包括透光基板,所述滤光层设置于所述透光基板的表面,所述基底靠近所述影像传感器芯片一侧设置有所述布线线路。其中,透光基板的材料例如可以是玻璃,透光基板+滤光层的结构构成IR玻璃。透光基板覆盖透光区和非透光区,起到了支撑滤光层和布线线路的作用,提升了影像传感器芯片的封装结构的稳固性。
进一步地,所述滤光层包括第一滤光层和第二滤光层,所述第一滤光层和所述第二滤光层分别设置于透光基板的正面和背面。其中,透光基板的正面是指,透光基板远离影像传感器芯片的一面;透光基板的背面是指,透光基板靠近影像传感器芯片的一面。即设置于透光基板的正面的滤光层称为第一滤光层,设置于透光基板的背面的滤光层称为第二滤光层。透光基板的材料例如可以是玻璃,第一滤光层+透光基板+第二滤光层的结构构成IR玻璃。本实用新型实施例设置透光基板的两面均包括滤光层,相当于增加了滤光层的厚度,有利于提升滤光层的滤光效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的