[实用新型]一种磁轭外同位素靶系统的电离辐射自屏蔽装置有效

专利信息
申请号: 201921980487.9 申请日: 2019-11-16
公开(公告)号: CN211321603U 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: 王峰;杨光;崔涛;贾先禄 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: H05H7/00 分类号: H05H7/00;H05H13/00;G21F3/00
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 卓凡
地址: 10241*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 磁轭外 同位素 系统 电离辐射 屏蔽 装置
【说明书】:

实用新型涉及回旋加速器技术领域,公开了一种磁轭外同位素靶系统的电离辐射自屏蔽装置,包括有同位素生产靶室、加速器包覆层以及驱动装置,加速器包覆层包覆于回旋加速器的侧向、顶部,加速器包覆层分为拼合而成的左侧屏蔽体、右侧屏蔽体,驱动装置驱动左侧屏蔽体与右侧屏蔽体作相向或反向直线移动以关闭或开合加速器包覆层,左侧屏蔽体、右侧屏蔽体的内侧面均嵌设有贴近于回旋加速器磁轭的同位素生产靶室,且回旋加速器的生产靶位于同位素生产靶室内,同位素生产靶室外围置有铅屏蔽层、含硼聚乙烯屏蔽层,本实用新型实现了对回旋加速器产生的电离辐射场进行有效屏蔽,提高了医疗装置的安全可靠性,保证工作人员的安全。

技术领域

本实用新型涉及回旋加速器技术领域,尤其涉及用于医用同位素生产设备中的磁轭外同位素靶系统的电离辐射自屏蔽装置。

背景技术

目前,在医用中短寿命同位素生产回旋加速器中,同位素生产靶系统及加速器本体在运行时会产生中子及光子电离辐射。根据中国现行法规和标准要求需要对电离辐射进行防护,并降低到标准要求的剂量率限值,保证放射性工作人员及公众的安全。对于同位素生产用加速器的电离辐射屏蔽通常需要大厚度的混凝土进行防护,防护手段通常采用屏蔽墙等建筑结构完成。大厚度的屏蔽墙体存在施工困难、占地面积大、造价高的缺点。为了降低同位素生产用回旋加速建筑的屏蔽厚度,并合理利用加速器房间的空间,亟需设计一种多层复合屏蔽材料的自屏蔽装置用于加速器的电离辐射屏蔽。

国内外的各种同位素生产靶通常安装在加速器磁轭内,加速器自屏蔽通常不需要设计独立的同位素靶室。对于多靶位的同位素生产靶系统需要较大的安装检修空间,更适合安装在带屏蔽结构的厂房内。因此设计研发一种在磁轭外侧给出独立的同位素靶室的自屏蔽装置,可以提供多靶位同位素生产靶系统的安装以降低厂房的屏蔽需求。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种磁轭外同位素靶系统的电离辐射自屏蔽装置,实现了对回旋加速器产生的电离辐射场进行有效屏蔽,提高了医疗装置的安全可靠性,保证工作人员的安全。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

一种磁轭外同位素靶系统的电离辐射自屏蔽装置,包括有同位素生产靶室、加速器包覆层以及驱动装置,加速器包覆层包覆于回旋加速器的侧向、顶部,所述加速器包覆层分为拼合而成的左侧屏蔽体、右侧屏蔽体,驱动装置驱动左侧屏蔽体与右侧屏蔽体作相向或反向直线移动以关闭或开合加速器包覆层,左侧屏蔽体、右侧屏蔽体的内侧面均嵌设有贴近于回旋加速器磁轭的同位素生产靶室,且回旋加速器的生产靶位于同位素生产靶室内,同位素生产靶室外围置有铅屏蔽层、含硼聚乙烯屏蔽层,铅屏蔽层、含硼聚乙烯屏蔽层均镶装于加速器包覆层内。

通过采用上述技术方案,加速器包覆层分为拼合而成的左侧屏蔽体、右侧屏蔽体,左侧屏蔽体、右侧屏蔽体可分别通过驱动装置作相向或反向直线移动,实现关闭或开合的功能。加速器包覆层开合时用于提供回旋加速器的维护检修空间,加速器包覆层关闭时实现对回旋加速器的电离辐射屏蔽。通过同位素生产靶室外围置有铅屏蔽层、含硼聚乙烯屏蔽层,含硼聚乙烯屏蔽层将同位素生产靶产生的中子电离辐射进行慢化并吸收,并通过铅屏蔽层对同位素生产靶产生的光子电离辐射屏蔽,合理化设计同位素生产靶室空间;同时加速器包覆层的含硼混凝土对加速器内部产生的杂散束流损失引起的电离辐射进行屏蔽。该屏蔽装置合理利用回旋加速器安装大厅空间,并降低回旋加速器安装大厅屏蔽需求,确保整个系统的使用安全性。

本实用新型进一步设置为,所述左侧屏蔽体、右侧屏蔽体内分别开设有用于容置回旋加速器的容置腔,容置腔的上部为包覆于回旋加速器顶部的顶盖,左侧屏蔽体的顶盖的内边缘可与右侧屏蔽体的顶盖的内边缘相拼合。

通过采用上述技术方案,加速器包覆层根据回旋加速器产生的辐射场空间分布特点而采用非均匀厚度的模式,对侧向及顶部的屏蔽厚度进行合理优化,以提高加速器包覆层的空间利用率及降低自屏蔽装置的重量。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国原子能科学研究院,未经中国原子能科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921980487.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top