[实用新型]一种双结叠层电池

权利要求书

1.一种双结叠层电池，其特征在于，包括：

基于半导体材料的底电池，具有P型硅层、形成于所述P型硅层正面的N型掺杂层、在N型掺杂层之上的正面钝化层、在P型硅层背面的背面钝化层；

透明导电层，结合于所述底电池的正面钝化层之上；

基于钙钛矿材料的顶电池，所述顶电池的钙钛矿层正面具有空穴传输层、背面具有电子传输层，且顶电池的钙钛矿层通过背面的电子传输层结合于所述透明导电层之上。

2.根据权利要求1所述的双结叠层电池，其特征在于，所述底电池包括硅基半导体电池、合金半导体电池或氧化物半导体电池。

3.根据权利要求1所述的双结叠层电池，其特征在于，所述顶电池包括结合于所述空穴传输层之上的缓冲层。

4.根据权利要求3所述的双结叠层电池，其特征在于，所述顶电池的电极穿透所述缓冲层与所述空穴传输层结合。

5.根据权利要求1所述的双结叠层电池，其特征在于，所述底电池包括结合于所述背面钝化层之下的减反射层。

6.一种双结叠层电池，其特征在于，包括：依次叠层布置的减反射层、背面钝化层、P型硅层、N型掺杂层、正面钝化层、透明导电层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及缓冲层，所述空穴传输层局部接触结合有正面电极，所述P型硅层通过局部P型掺杂接触结合有背面电极。

7.根据权利要求6所述的双结叠层电池，其特征在于，所述钙钛矿层的厚度为100μm至500μm。

8.根据权利要求6或7所述的双结叠层电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为80nm至120nm。

9.根据权利要求8所述的双结叠层电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为60nm至100nm。

10.根据权利要求9所述的双结叠层电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度为30nm至60nm，所述透明导电层的厚度为8nm至25nm。

11.根据权利要求6所述的双结叠层电池，其特征在于，所述正面电极为银栅指电极。

12.根据权利要求6或11所述的双结叠层电池，其特征在于，所述背面电极为铝栅指电极。