[实用新型]一种自带嵌入式温度传感器的IGBT器件有效
| 申请号： | 201921961348.1 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN210607252U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 温度传感器 igbt 器件 | ||
1.一种自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N-衬底（100）、位于N-衬底下部的N型场终止层、位于N型场终止层下方的P型集电极区（212）及位于P型集电极区下方的集电极金属层（13），其特征在于：芯片本体包括的元胞区及温度传感区，温度传感区包括N-衬底表面的绝缘介质层USG（206），绝缘介质层USG的表面设置有螺旋状的浅槽，浅槽内设置有多晶硅组，多晶硅组由多个首尾依次连接的P型多晶硅（207）及N型多晶硅（208）组成，绝缘介质层USG、P型多晶硅及N型多晶硅的表面设置有一层绝缘介质层PSG（209），多晶硅组的首尾两端分别设置有温度传感器正极及温度传感器负极，温度传感器正极通过接触孔与位于多晶硅组一端的P型多晶硅或N型多晶硅电连接，温度传感器负极通过接触孔与位于多晶硅组另一端的P型多晶硅或N型多晶硅电连接。
2.根据权利要求1所述的自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，其特征在于：所述绝缘介质层USG的厚度为2 KÅ。
3.根据权利要求1所述的自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，其特征在于：所述绝缘介质层PSG的厚度为10 KÅ。
4.根据权利要求1所述的自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，其特征在于：所述元胞区包括多个元胞，每个元胞均包括位于N-衬底表面的沟槽区（201）、位于沟槽区内侧壁的栅氧化层（202）、位于沟槽区内的多晶硅栅电极（203）、位于多晶硅栅电极上方的绝缘介质层USG、位于绝缘介质层USG上方的绝缘介质层PSG、位于元胞区表面的发射极金属（12）和IGBT芯片栅极（11）、位于相邻沟槽区之间的P型基区（204）、N+发射极区（205）及位于N+发射极区中间的P+深阱区（210）。
5.根据权利要求1所述的自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，其特征在于：所述温度传感区的绝缘介质层USG下方设置有RING保护区（4），RING保护区位于温度传感区下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
