[实用新型]一种具有闩锁免疫功能的绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201921961093.9 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN210607263U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 免疫 功能 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
1.一种具有闩锁免疫功能的绝缘栅双极型晶体管，包括芯片本体，芯片本体包括N型基区（240）、位于N型基区下方的P型集电极区（220）、位于P型集电极区下方的集电极（210）、位于N型基区表面的多个沟槽区（290），沟槽区的内侧壁上设置有栅氧化层（295），相邻沟槽区之间设置有P型基区（250）、位于P型基区顶部的N+发射极区（280）及位于N+发射极区中间的P+深阱区（260），芯片本体的表面设有与所述N+发射极区电连接的发射极电极（211），其特征在于：多个沟槽区中至少一个沟槽区内设置有普通栅电极（297）且至少一个沟槽区内设置有复合栅电极（296），所述复合栅电极包括位于P型基区表面的平面栅极（2961）及位于沟槽区内的沟槽栅极（2962），平面栅极与沟槽栅极为一体式，平面栅极与P型基区之间也设置有栅氧化层，普通栅电极与发射极电极之间、复合栅电极与发射极电极之间均设置有绝缘介质层（270）。
2.根据权利要求1所述的具有闩锁免疫功能的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：普通栅电极与复合栅电极间隔设置。
3.根据权利要求1所述的具有闩锁免疫功能的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述栅氧化层（295）的厚度为1000-1500 Å。
4.根据权利要求1所述的具有闩锁免疫功能的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：N型基区（240）与P型集电极区之间设置有N型场终止区（230）。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海擎茂微电子科技有限公司，未经上海擎茂微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921961093.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
