[实用新型]一种新型结构的双极型晶体管

权利要求书

1.一种新型结构的双极型晶体管，其特征在于，所述双极型晶体管包括：N-衬底、生长在所述N-衬底表面的氧化埋层以及生长在所述氧化埋层表面的N-外延层；所述N-外延层中开设有贯穿所述N-外延层的第一沟槽和第二沟槽，每个沟槽的内侧壁形成有氧化隔离侧墙，所述氧化隔离侧墙内部填满有饱和掺杂的N型多晶硅；所述N-外延层的表面在所述第一沟槽和第二沟槽之间形成有基极结，所述基极结内设有发射极结；所述N-外延层的表面设有场氧化层，所述场氧化层包括所述第一沟槽和所述基极结之间的第一场氧区域以及所述基极结和所述第二沟槽之间的第二场氧区域，所述第一场氧区域和所述第二场氧区域的两侧均呈鸟嘴结构；所述场氧化层表面设有介质层，所述介质层在所述第一沟槽内的N型多晶硅的表面、所述第二沟槽内的N型多晶硅的表面、所述基极结的表面以及所述发射极结的表面均开设有接触孔，所述N-外延层的表面在靠近所述第二沟槽的位置开设有贯穿所述第二场氧区域和所述介质层的接触孔；各个接触孔中设有金属层，所述基极结通过金属层引出基极，所述发射极结通过金属层引出发射极，所述N-外延层通过金属层引出集电极；所述第一沟槽内的N型多晶硅通过金属层引出并连接到发射极电位，所述第二沟槽内的N型多晶硅通过金属层引出并连接到集电极电位。

2.根据权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第二场氧区域的表面设有多晶硅场板，所述多晶硅场板的远离所述第二沟槽的一侧与所在侧的鸟嘴结构的端头持平，所述多晶硅场板的靠近所述第二沟槽的一侧与所在侧的鸟嘴结构的端头间隔预定距离；所述介质层在所述多晶硅场板的表面也开设有接触孔，所述接触孔中也设有金属层，所述多晶硅场板通过所述接触孔中的金属层引出并连接到集电极电位。

3.根据权利要求2所述的双极型晶体管，其特征在于，所述多晶硅场板的靠近所述第二沟槽的一侧与所在侧的鸟嘴结构的端头之间间隔的所述预定距离为5-8um。

4.根据权利要求1-3任一所述的双极型晶体管，其特征在于，每个沟槽内的氧化隔离侧墙的厚度与所述双极型晶体管的集电极-发射极饱和压降的最大设计值正相关。