[实用新型]一种硅芯对接结构

说明书

本实用新型公开了一种硅芯对接结构，包括两个硅芯a和位于两个硅芯a之间的对接芯a，两个所述硅芯a相互靠近的一端均加工有直柄a，所述对接芯a的两端分别加工有与两个直柄a对接配合的圆孔a，所述硅芯a为圆硅芯或方硅芯，所述圆孔a的内径大于直柄a的直径。本实用新型利用对接的硅芯不仅解决了长硅芯生产问题，而且相对于焊接技术而言，对接只是简单的对材料进行物理加工，表面磨损造成的污染可以通过后期酸洗解决，但是焊接而言其局部熔融后污染问题很难彻底根治，经过将该实用新型对接的硅芯进行还原炉试验，没出现任何异常情况。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅芯对接结构。

背景技术

硅芯作为多晶硅生产领域，尤其是运用西门子法生产多晶硅的工艺中起到至关重要的作用；尤其地，在还原生产中硅芯作为还原炉中多晶硅气相沉积的载体，其规格、质量直接影响了多晶硅产品的成长过程和最终质量。随着行业的发展，多晶硅生产成本及产品质量的现实压力迫使各大生产厂家对于长度更长、质量更优的硅芯需求显得极为迫切。

当前多晶硅生产领域，运用改良西门子法生产多晶硅的企业所使用的硅芯大致分为区熔拉制硅芯、单晶棒切割硅芯、原生多晶硅切割硅芯几种。在具体的实践中，目前行业内以使用单晶棒切割硅芯为主，但是区熔拉制硅芯也有一定的优势，对于原生多晶硅切割硅芯现阶段国内仍然没有较为成熟有效的技术经验。

随着还原炉的不断推陈出新，其产能也在不断的变大，所需要的硅芯长度和品质也在不断增长。目前，单晶棒切割硅芯及区熔拉制硅芯都能解决硅芯长度的问题，在单晶棒拉制中尽可能使用符合尺寸要求的单晶炉进行母料的拉制，进而用拉制的母料进行硅芯切割，该种方法根据单晶炉结构及生产能力可以轻松的解决硅芯长度问题，但是该种工艺中间环节过多，最终硅芯质量很难保证与原硅料相一致。同样区熔拉制硅芯也可以通过增加硅芯炉的上炉筒长度来实现长硅芯的生产，但是正如单晶棒切割硅芯一样，在拉直过程中难免会对产品造成污染；原生多晶硅切割的硅芯更难产出3米以上的硅芯。为解决该问题，目前行业内在不进行单晶炉或硅芯炉长度改变的前提下增加硅芯长度的途径主要有焊接，该种工艺是将两根不同长度但同直径、边长的硅芯在高频设备中熔融焊接完成。虽然焊接后长度问题得到解决，但是焊接后强度、效率、质量、成本及稳定性等问题还是存在着争议。因此，为适应大还原炉硅芯长度及高品质硅芯需求，本实用新型主要解决的是将不同长度的硅芯机械加工后进行有效的对接，使之不通过熔融等有污染风险的手段就能完成硅芯的对接。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决背景技术中提出的问题，而提出的一种硅芯对接结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种硅芯对接结构，包括两个硅芯a和位于两个硅芯a之间的对接芯a，两个所述硅芯a相互靠近的一端均加工有直柄a，所述对接芯a的两端分别加工有与两个直柄a对接配合的圆孔a，所述硅芯a为圆硅芯或方硅芯，所述圆孔a的内径大于直柄a的直径。

一种硅芯对接结构，包括两个硅芯b和位于两个硅芯b之间的对接芯b，两个所述硅芯b相互靠近的一端均加工有锥柄a，所述对接芯b的两端分别加工有与两个锥柄a对接配合的锥孔a，所述硅芯b为圆硅芯或方硅芯，所述锥孔a的形状大小大于锥柄a的形状大小。

一种硅芯对接结构，包括硅芯c与硅芯d，所述硅芯c靠近硅芯d的一端加工有直柄b，所述硅芯d靠近硅芯c的一端加工有与直柄b对接配合的圆孔b，所述硅芯c与硅芯d为圆硅芯或方硅芯，所述圆孔b的内径大于直柄b的直径。

一种硅芯对接结构，包括硅芯e与硅芯f，所述硅芯e靠近硅芯f的一端加工有锥柄b，所述硅芯e靠近硅芯f的一端加工有与锥柄b对接配合的锥孔b，所述硅芯e与硅芯e为圆硅芯或方硅芯，所述锥孔b的形状大小大于锥柄b的形状大小。

与现有的技术相比，本硅芯对接结构的优点在于：