[实用新型]半导体结构及半导体封装结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体结构，包括：衬底、焊盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二保护层；重布线层包括第一金属线、第二金属线；第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当于形成于同一层，因此第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共面性较高，第二金属线与焊盘绝缘，因此形成于第二金属线上的凸块并不起导电作用，在衬底翘曲产生应力时将应力转移到第一保护层，本申请的衬底中凸块共面性较好，减小倒装到基板上时出现浸润不良的概率，提高整个封装的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体结构及半导体封装结构。

背景技术

倒装(flip chip)封装技术是一种基于小尺寸芯片、高I/O密度，并具有优秀电学和热学性能的互连方式。通过在芯片焊盘上制备焊球或者凸块后贴装在电路板上。

在现有技术中，为解决封装时产生的应力问题，通常在没有焊盘的位置也会制备凸块或者焊球，但是在没有焊盘位置制备的凸块或者焊球与在焊盘位置上的凸块或者焊球存在共面性的问题，导致倒装到基板上容易出现浸润不良，影响整个封装的可靠性。

实用新型内容

基于此，有必要针对凸块共面性差的问题，提供一种半导体结构及半导体封装结构。

衬底；

焊盘，位于所述衬底上；

第一保护层，覆盖部分所述焊盘；

连接插塞，所述连接插塞位于所述第一保护层内；

重布线层，位于所述第一保护层上；所述重新布线层包括第一金属线、第二金属线；所述第一金属线经由所述连接插塞与所述焊盘电连接；所述第二金属线与所述第一金属线的上表面相平齐，所述第二金属线不进行任何电连接；

第二保护层，位于所述第一保护层的上表面，且覆盖所述重布线层；所述第二保护层内形成有第一开口及第二开口，所述第一开口暴露出所述第一金属线，所述第二开口暴露出所述第二金属线；

凸块，位于所述第一金属线和所述第二金属线的上表面。

通过上述技术方案，由于第二金属线和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当于形成于同一层，因此第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共面性较高，第二金属线与焊盘绝缘，因此形成于第二金属线上的凸块并不起导电作用，在衬底翘曲产生应力时将应力转移到第一保护层，本申请的衬底中凸块共面性较好，减小倒装到基板上时出现浸润不良的概率，提高整个封装的可靠性。

在其中一个实施例中，还包括凸块下金属层，所述凸块下金属层位于所述第一开口和所述第二开口的内表面内表面，且与所述凸块、所述第一金属线及所述第二金属线均相接触。

通过上述技术方案，凸块与凸块下金属层之间的结合力更高，比凸块直接长在第一开口和第二开口的侧壁上要稳定可靠。

在其中一个实施例中，所述第二金属线与所述第一金属线之间具有间距。

在其中一个实施例中，所述第二开口的宽度大小小于所述第二金属线的宽度大小，所述第二开口的边缘与所述第二金属线的边缘的间距为2.5um～7um。

在其中一个实施例中，所述重布线层还包括若干个插塞，所述插塞沿所述第一保护层的厚度方向贯穿所述第一保护层；所述第一金属线及所述第二金属线分别与不同的所述插塞相连接，且所述第一金属线的宽度及所述第二金属线的宽度均大于所述插塞的宽度。

在其中一个实施例中，所述第一保护层包括聚合物层和钝化层，所述钝化层位于所述衬底的上表面，所述聚合物层位于所述钝化层的上表面。

在其中一个实施例中，所述聚合物层的厚度大小在3um～7um之间。