[实用新型]半导体结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；第一聚合物的上表面呈凹凸不平状；开口，沿厚度方向贯穿第一聚合物层，以暴露出焊盘；重布线层，位于第一聚合物层上及开口内，且与焊盘电连接；第二聚合物层，位于第一聚合物层上，且覆盖重布线层。述半导体结构中通过将第一聚合物层的上表面设计为凹凸不平状，位于第一聚合物层上表面的介电层部分填充于凹槽内，甚至重布线层及第二聚合物层也部分填充于凹槽内，会使得位于第一聚合物层上表面的介电层与第一聚合物层具有较好的接着性，可以有效避免脱层问题的发生。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构。

背景技术

在现有的一种半导体结构中，基底上的聚合物层形成于基底的上表面上后经由烘烤进行溶剂挥发，一般聚合物层与位于其下面的钝化层之间具有很好的接着性，但聚合物层的上表面一般为平整面，聚合物层与位于其上方的材料层之间的接着性较差。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有技术中半导体结构内的聚合物层于位于其上方的材料层之间的接着性较差，在重布线层的制程中容易发生脱层的问题，提供一种半导体结构。

为了实现上述目的，一方面，本实用新型提供了一种半导体结构，包括：

基底，基底内形成焊盘；

第一聚合物层，位于基底上；第一聚合物的上表面呈凹凸不平状；

开口，沿厚度方向贯穿第一聚合物层，以暴露出焊盘；

重布线层，位于第一聚合物层上及开口内，且与焊盘电连接；

第二聚合物层，位于第一聚合物层上，且覆盖重布线层。

上述半导体结构中通过将第一聚合物层的上表面设计为凹凸不平状，位于第一聚合物层上表面的介电层部分填充于凹槽内，甚至重布线层及第二聚合物层也部分填充于凹槽内，会使得位于第一聚合物层上表面的材料层与第一聚合物层具有较好的接着性，可以有效避免脱层问题的发生。

在其中一个实施例中，半导体结构还包括：

钝化层，钝化层位于基底的上表面；第一聚合物层位于钝化层的上表面；

介电层，位于第一聚合物层的上表面；开口还沿厚度方向贯穿钝化层及介电层；

种子层，种子层位于介电层的上表面及焊盘的上表面，重布线层位于种子层的上表面。

在上述示例中，通过在第一聚合物层于重布线层之间增设介电层，介电层可以作为重布线层形成过程中的刻蚀阻挡层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在于第二聚合物层内形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线的焊球脱落。

在其中一个实施例中，介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或碳氮化硅层。

在其中一个实施例中，介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及碳氮化硅层中至少二种组成的叠层结构。

在其中一个实施例中，种子层包括钛层或氮化钛层；重布线层包括铜重布线层。

在其中一个实施例中，开口的宽度小于所述焊盘的宽度。

在其中一个实施例中，第一聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层；第二聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。

在其中一个实施例中，第一聚合物层的上表面形成有若干个凹槽；若干个凹槽呈条状间隔排布、相互连接成网格状排布或无规则排布。

在其中一个实施例中，凹槽的深度为第一聚合物层厚度的1/3～3/4。

在其中一个实施例中，凹槽纵截面的形状包括倒梯形。