[实用新型]具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构

权利要求书

1.一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述屏蔽栅MOS器件包括终端区和元胞区，终端区位于屏蔽栅MOS器件的外围，环绕着元胞区，元胞区位于屏蔽栅MOS器件的中心区，所述元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；所述屏蔽栅 MOS器件包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），在第一导电类型外延层（2）的上表面向下开设有元胞沟槽（3）和终端沟槽（11），在元胞沟槽（3）内设有栅氧化层（4），在栅氧化层（4）内开设有呈阶梯型的屏蔽栅槽（5），在屏蔽栅槽（5）内设有屏蔽栅（6），屏蔽栅（6）与屏蔽栅槽（5）的形状吻合，在栅氧化层（4）的上表面向下开设有栅极槽（8），在栅极槽（8）内设有栅极导电多晶硅（10），栅极导电多晶硅（10）位于屏蔽栅（6）的上方，栅极导电多晶硅（10）与屏蔽栅（6）之间由第一间隔氧化层（7）隔开；

在终端沟槽（11）内设有场氧化层（12），在场氧化层（12）内开设有呈阶梯型的下层终端场板槽（13），在下层终端场板槽（13）内设有下层终端场板（14），下层终端场板（14）与下层终端场板槽（13）的形状吻合，在场氧化层（12）的上表面向下开设有上层终端场板槽（16），在上层终端场板槽（16）内设有上层终端场板（17），上层终端场板（17）与下层终端场板（14）之间由第二间隔氧化层（15）隔开；

在栅氧化层（4）与栅氧化层（4）之间以及栅氧化层（4）与场氧化层（12）之间设有第二导电类型体区（19），在第二导电类型体区（19）的上表面设有第一导电类型源极区（20）与源极金属柱（23），在上层终端场板（17）的上表面设有终端场氧化层条块（21），终端场氧化层条块（21）的外端部向下弯折，终端场氧化层条块（21）盖住所述场氧化层（12）的上端部，在栅极导电多晶硅（10）与第一导电类型源极区（20）的上表面设有绝缘介质层（22），在绝缘介质层（22）与源极金属柱（23）的上表面设有源极金属层（24），源极金属层（24）覆盖部分的终端场氧化层条块（21）。

2.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述第一间隔氧化层（7）与第二间隔氧化层（15）的厚度均为1000A~5000A。

3.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述屏蔽栅（6）连结源极、接地或者独立悬浮。

4.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述源极金属层（24）和栅极导电多晶硅（10）之间通过绝缘介质层（22）隔开。

5.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述元胞沟槽（3）和终端沟槽（11）的深度均为4~10um。

6.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述屏蔽栅（6）与下层终端场板（14）上每一个阶梯的高度均为1~5um。

7.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬底（1）、第一导电类型外延层（2）与第一导电类型源极区（20）为N型导电，第二导电类型体区（19）为P型导电。

8.如权利要求1所述的具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬底（1）、第一导电类型外延层（2）与第一导电类型源极区（20）为P型导电，第二导电类型体区（19）为N型导电。