[实用新型]彩色显示面板及微显彩色膜有效
申请号: | 201921898685.0 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN210325804U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 朱涛 | 申请(专利权)人: | 苏州市奥视微科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 显示 面板 | ||
本实用新型公开一种彩色显示面板及微显彩色膜,该显示面板包括多个具有六边形形状的单元像素,且多个单元像素彼此邻接并被第一隔离柱分界,各单元像素内部又被第二隔离柱分隔形成具有菱形形状的三个子像素,单元像素具有六个顶点以及一个中心点,各子像素分别由中心点与三个顶点围成,其中与所述的中心点不相邻的顶点为第一顶点,与中心点相邻的顶点为第二顶点;第一隔离柱在各所述的第一顶点处断开,使得共用该第一顶点的三个来自于不同单元像素的子像素之间液体相通,且共用该第一顶点的三个所述的子像素被配置成发射相同的颜色光。本实用新型的优点是发光均匀,可降低量子打印的工艺要求,具有更好的工业化前景。
技术领域
本实用新型属于半导体显示器件技术领域,特别涉及一种微显示面板以及微显示彩色膜。
背景技术
微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display,缩写为 MicroLED)是最近几年发展起来的新一代显示技术,由于Micro-LED硅基微显示器件的像素比较小,RBG子像素的尺寸大概为10μm左右,甚至更小,这对Micro-LED硅基微显示的彩色化提出了比较高的要求。现有技术中,Micro-LED硅基微显示器的彩色话一般有三种方案:1、3D纳米棒技术实现彩色化,这种技术可以在同一衬底上同时制作RGB三色LED,这种技术尚处在研究阶段;
2、RGB三种颜色的芯片逐层分别通过Flip chip或者wafer bonding的方式bonding到硅基背板上,bonding之后再进行LED图形化,这种技术比较复杂,也尚在研究阶段;
3、通过量子点打印(QD,QuantumDots,QD是直径在纳米级别的球形半导体粒子,尺寸不同的QD粒子在蓝光的照射下会反射不同色彩的光线)的方式进行彩色化,但是因为Micro-LED硅基微显示器的像素很小,单个子像素尺寸一般在15μm以下甚至更小,但目前常用打印工艺极限在30μm左右,因此采用打印工艺制作量子点膜是一个巨大的挑战。
然而在采用第3种方案——量子点打印的方法进行彩色化时,主要有附图1和附图3两种方案:
图1所示的显示面板由多个六边形的单元像素组成,每个单元像素包含三颗发光LED,当量子点打印在单元像素的中央时,液滴的分布由中央向边缘逐渐变薄,对于单颗发光LED来说左右两侧的膜厚不同,在量子点膜薄的地方,蓝光直接透过形成蓝绿光或红蓝光,从而导致LED出光不均匀、显示色彩纯度不均。
图3所示的显示面板(参见CN104330913A),由多个六边形的单元像素组成,各单元像素又通过隔离材料被分隔形成3个菱形区域,每个菱形区域内分别有一颗发光LED,通过量子点打印,可以使各子像素发射红光或绿光或蓝光。然而该方案对于量子点打印的精度要求非常高,当量子点打印微小的偏离六边形的中央时,其在三个菱形区域的内的分配就会不均匀,如图2所示,两个发光LED上的膜厚不一致,这也会导致多个LED发光不均匀。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型的目的是提供一种各子像素发光均匀、制造工艺简单的彩色微显示器。
为了实现上述实用新型的目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种彩色显示面板,包括多个具有六边形形状的单元像素,且多个单元像素彼此邻接并被第一隔离柱分界,各单元像素内部又被第二隔离柱分隔形成具有菱形形状的三个子像素,三个所述的子像素分别为被配置为发射第一颜色光的第一子像素、被配置为发射第二颜色光的第二子像素、被配置为发射第三颜色光的第三子像素,所述的单元像素具有六个顶点以及一个中心点,各子像素分别由中心点与三个顶点围成,其中与所述的中心点不相邻的顶点为第一顶点,与所述的中心点相邻的顶点为第二顶点;所述的第一隔离柱在各所述的第一顶点处断开,使得共用该第一顶点的三个来自于不同单元像素的子像素之间液体相通,且共用该第一顶点的三个所述的子像素被配置成发射相同的颜色光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的