[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和透明导电层；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，位于透明导电层表面，通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有高电流密度区和低电流密度区，由低电流密度区向高电流密度区，透明导电层的覆盖面积逐渐增大。本实用新型减小第二导电型半导体层表面低电流密度区的透明导电层的覆盖面积，从而促使电流集中，以提高电流密度区的电流密度，从而提高发光二极管的亮度。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

如图1所示，现有技术中的发光二极管包括衬底，依次层叠于衬底上的N型层、发光层、P型层23、透明导电层30、P电极42’和N电极41’，P电极42’包括焊盘部421‘和延伸部422’。

ITO作为透明导电层，在目前GaN基LED中起着扩展电流的重要作用。现有ITO的制作方法，是在留出安全的边缘余量之后，其余区域全部覆盖，以尽可能增大发光区面积。但实际生产过程中发现，整个ITO覆盖的发光区，不同位置的发光强度具有差异。即距离电极或延伸部越近，发光强度越高，距离电极或延伸部越远，发光强度越低。不同区域的发光强度差异，体现了相应区域的电流密度差异，即存在高电流密度区和低电流密度区。如进一步降低使用电流，势必会导致发光强度低的区域发出的光难以被感受到，扩展到这些区域的电流则被浪费。

发明内容

因此，为解决以上问题，本实用新型提供了一种具有不完全覆盖第二导电型半导体层的透明导电层的发光二极管，用于进一步提高发光二极管的亮度，具体技术方案如下：

一种发光二极管，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和透明导电层；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，位于透明导电层表面，通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有高电流密度区和低电流密度区，由低电流密度区向高电流密度区，透明导电层的覆盖面积逐渐增大。

优选的，所述第二导电型半导体层外周的表面无透明导电层覆盖，且透明导电层的边缘与第二导电型半导体层的边缘的距离大于6μm。

优选的，所述第二电极包括用于打线的焊盘部和用于扩展电流的延伸部。

优选的，所述透明导电层的覆盖面积由第二电极端沿着延伸部的方向至第一电极端先增大后减小，且在延伸部的末端增加至最大。

优选的，所述第二电极端的透明导电层的覆盖面积小于或等于第一电极端的透明导电层的覆盖面积。

优选的，所述第二电极端的透明导电层与第二导电型半导体层的边缘的距离大于或等于第一电极端的透明导电层与第二导电型半导体层的边缘的距离。

优选的，所述延伸部两端的透明导电层的覆盖面积大于中间部分透明导电层的覆盖面积。

优选的，所述延伸部中间部分两侧的透明导电层表面具有复数孔洞。

优选的，所述复数个孔洞沿延伸部均匀或者不均匀排列。

优选的，所述孔洞的形状为圆形或者椭圆形。

与现有技术相比，本实用新型提供的发光二极管，至少具有以下技术效果：

本实用新型通过减小第二导电型半导体层表面低电流密度区的透明导电层的覆盖面积，从而促使电流集中，以提高电流密度区的电流密度，从而提高发光二极管的亮度。