[实用新型]Ku波段大功率固态功放组件阵列有效
| 申请号: | 201921886788.5 | 申请日: | 2019-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN210693871U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 吕刚;张昊;户国梁 | 申请(专利权)人: | 南京长峰航天电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/68;H03F3/19;G01S7/03;G01S7/40 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 史俊军 |
| 地址: | 210061 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | ku 波段 大功率 固态 功放 组件 阵列 | ||
本实用新型公开了一种Ku波段大功率固态功放组件阵列,包括多个结构一致的单组件,单组件包括水冷板,水冷板上设置有若干级功率分配器和若干Ku波段固态功放装置,第一级功率分配器的输入端外接信号源,后一级功率分配器的数量与前一级功率分配器的输出端数量一致,后一级功率分配器的输入端连接前一级功率分配器的一个输出端,Ku波段固态功放装置的数量与最后一级功率分配器的输出端数量一致,Ku波段固态功放装置的输入端连接最后一级功率分配器的一个输出端。本实用新型通过功率分配器将一路输入分成多路输出,并将多路输出分别输入多个Ku波段固态功放装置,实现功放输出阵列,与现有的天线配合形成有源阵列天线,达到雷达系统的功率要求。
技术领域
本实用新型涉及一种Ku波段大功率固态功放组件阵列,属于雷达模拟器领域。
背景技术
随着半导体技术的高速发展,极大推动了固态功放的升级换代,目前GaN(氮化镓)作为第三代新型半导体材料具有强原子键、大禁带宽度、高热导率、高饱和电子漂移速度,使得基于GaN工艺的功放具备更高的功率输出、更高的工作效率以及更强的抗辐射能力。可单只固态功放功率与雷达系统的要求还是有一定的差距。
实用新型内容
本实用新型提供了一种Ku波段大功率固态功放组件阵列,解决了背景技术中披露的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
Ku波段大功率固态功放组件阵列,包括多个结构一致的单组件,单组件包括水冷板,水冷板上设置有若干级功率分配器和若干Ku波段固态功放装置,第一级功率分配器的输入端外接信号源,后一级功率分配器的数量与前一级功率分配器的输出端数量一致,后一级功率分配器的输入端连接前一级功率分配器的一个输出端,Ku波段固态功放装置的数量与最后一级功率分配器的输出端数量一致,Ku波段固态功放装置的输入端连接最后一级功率分配器的一个输出端。
功率分配器设置有两级,第一级功率分配器为八路功率分配器,第二级功率分配器为二路功率分配器。
Ku波段固态功放装置包括射频电路和馈电电路;
射频电路包括第一隔离器、前级功放、第二隔离器、推动级功放、第三隔离器、功率分配器和若干末级功放,第一隔离器的输入端为Ku波段固态功放装置的输入端,第一隔离器、前级功放、第二隔离器、推动级功放、第三隔离器和功率分配器依次连接,末级功放的数量与功率分配器输出端数量一致,末级功放的输入端连接功率分配器的一个输出端,末级功放的输出端为Ku波段固态功放装置的输出端;
馈电电路连接前级功放、推动级功放和若干末级功放。
前级功放和推动级功放为GaAs功放,末级功放为GaN功放。
连接同一最后一级功率分配器的Ku波段固态功放装置封装在同一壳体内,第一隔离器、前级功放、第二隔离器、第三隔离器和功率分配器直接与壳体固定,推动级功放和末级功放通过沉入式散热衬板与壳体固定,馈电电路设置在电路板上,电路板与壳体固定。
沉入式散热衬板与壳体之间垫有铟片。
Ku波段固态功放装置的相邻输出端交错分布。
本实用新型所达到的有益效果:1、本实用新型通过功率分配器将一路输入分成多路输出,并将多路输出分别输入多个Ku波段固态功放装置,实现功放输出阵列,与现有的天线配合形成有源阵列天线,达到雷达系统的功率要求;2、本实用新型的射频电路采用多级功放组合,确保了设备线性度同时提高了设备效率;3、热耗大的推动级功放和末级功放通过沉入式散热衬板与壳体固定,便于损坏后单独更换;4、Ku波段固态功放装置的相邻输出端交错分布,减少了热密度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的原理框图;
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