[实用新型]一种V波段功率放大器安装壳体

说明书

本实用新型公开了一种V波段功率放大器安装壳体，包括上下对接组合在一起的上壳体和下壳体，安装壳体的前面和后面对称设置有波导法兰接口，上壳体和下壳体沿波导法兰接口中心的矩形波导口的上端长边所在的水平面分割，矩形波导口在安装壳体内延伸为波导腔体，在波导腔体的末端还设置有过渡转换体；在安装壳体内还设置有与波导腔体联通、用于容纳V波段功率放大芯片以及微带转换体的安装腔体。本实用新型实现了波导和微带之间的过渡、为微带过渡转换体以及V波段功率放大芯片提供了容纳空间、并且便于加工、利于安装壳体的装配。

技术领域

本实用新型涉及毫米波通信领域，尤其涉及一种V波段功率放大器安装壳体。

背景技术

现有技术中，V波段功率放大器在实现对V波段功率放大时，存在波导与微带模式转换，供电隔离、信号转换的有效性、放大增益效果等问题。故需要提供一种V波段功率放大器安装壳体，实现对波导与微带良好过渡、为微带转换体与功率放大芯片的过渡合理布置空间，并且方便加工，利于装配，实现V波段功率放大器的低损耗、高增益。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种V波段功率放大器安装壳体，解决现有技术中V波段功率放大器上波导和微带之间的过渡、并且便于加工、利于安装壳体的装配的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种V波段功率放大器安装壳体，包括上下对接组合在一起的上壳体和下壳体，所述安装壳体的前面和后面对称设置有波导法兰接口，所述上壳体和下壳体沿所述波导法兰接口中心的矩形波导口的上端长边所在的水平面分割，所述矩形波导口在所述安装壳体内延伸为波导腔体，所述波导腔体的末端还设置有过渡转换体；在所述安装壳体内还设置有与所述波导腔体联通、用于容纳V波段功率放大芯片和微带过渡转换体的安装腔体。

优选的，所述波导腔体由设置在下壳体对接面上的波导槽与上壳体对接面对接形成；在下壳体对接面上还设置有联通所述波导槽的安装槽，在所述波导槽的两侧还设置有多个对接孔，所述上壳体的对接面上对应开设有多个螺纹孔，螺纹柱穿过对接孔以及螺纹孔将所述上壳体和所述下壳体紧密结合；当所述上壳体和所述下壳体上下对接后，所述安装槽与上壳体对接面拼接为所述安装腔体。

优选的，所述过渡转换体为台阶形过渡转换体，所述台阶状型过渡转换体位于所述波导腔体的中间且沿所述波导腔体方向延伸，所述台阶状型过渡转换体包括四级台阶，其中最下部的第一级台阶位于所述波导腔体内，最上部的第四级台阶临近所述波导腔体的末端壁面，并且微带末端也设置在所述第四级台阶上。

优选的，所述第一级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.62mm，第二级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为1.12mm，第三级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.48mm，最上部的第四级台阶距到所述波导腔体上壁面的距离为0.23mm。

优选的，所述第一级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.2mm，所述第二级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1.14mm，所述第三级台阶距沿所述波导腔体方向的长度是1mm，所述第四级台阶距沿所述波导腔体方向延伸至微带的长度是0.94mm。

优选的，所述波导腔体的末端设置有凸台，所述台阶状型过渡转换体的第四级台阶底部设置在所述凸台上。

优选的，在上壳体对接面上开设有电路板安装槽，盖板遮盖所述电路板安装槽，并且所述盖板上还开设有供电孔。

优选的，所述安装槽包括连通所述波导槽的第一安装槽以及与两个所述第一安装槽之间的第二安装槽，所述第一安装槽用于放置微带过渡转换体，所述第二安装槽用于放置V波段功率放大芯片；在所述第二安装槽内也开设有供电孔。

优选的，在所述上壳体的上侧面以及所述下壳体的下侧面均开设有连接槽，连接槽在所述波导法兰接口的对应位置设置具有内螺纹的连接孔，两个或两个以上的安装壳体在通过所述波导法兰接口连接以后，再通过连接孔拧接螺栓，实现多个安装壳体的组合连接。