[实用新型]一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器

说明书

本实用新型公开了一种PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线。还公开了一种PT200温度传感器，包括套管、芯片和导热填充层，所述套管为整体式陶瓷套管，所述芯片位于套管的底部，且芯片与套管支架具有间距，所述导热填充层充满套管的内部空间且包覆芯片；所述芯片包括陶瓷基底和薄膜铂层薄，薄膜铂层的两端连接有导线，每根导线连接有金属针，所述金属针沿套管轴向延伸至套管之外。本实用新型的PT200温度传感器的灵敏度较高，耐高温，能够在高温环境中持续稳定地工作，保证足够的使用寿命；此外，抗震性能好，不受取车颠簸的影响，适用于汽车发动机和汽车尾气温度的检测。

技术领域

本实用新型属于温度检测设备领域，尤其是一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器。

背景技术

PT200温度传感器常用于检测汽车发动机和汽车尾气的温度，目前，PT200温度传感器芯片包括陶瓷基底和位于陶瓷基底上的薄膜铂层，薄膜铂层一般是通过光刻成型。PT200温度传感器一般包括外套管、导热填充层和芯片，外套管一般由镍铬合金外套和陶瓷外套组成，镍铬合金外套位于底部位置，陶瓷外套位于顶部位置，芯片位于镍铬合金外套内部，导热填充层设置在芯片与外套管之间。这种PT200温度传感器的测量灵敏度较低，温度测量范围较窄，稳定性和抗震动能力较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器，可提高灵敏度，增加温度测量范围，增强稳定性和抗震能力，保证使用寿命。

本实用新型的目的是这样实现的：PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线。

进一步地，所述薄膜铂层的重量为0.008g。

进一步地，所述陶瓷基底呈正方形，边长为1.5mm。

上述PT200温度传感器芯片的PT200温度传感器，包括套管、PT200温度传感器芯片和导热填充层，所述套管为整体式陶瓷套管，所述PT200温度传感器芯片位于套管的底部，且 PT200温度传感器芯片与套管支架具有间距，所述导热填充层充满套管的内部空间且包覆 PT200温度传感器芯片；所述PT200温度传感器芯片包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线，每根导线连接有金属针，所述金属针沿套管轴向延伸至套管之外。

进一步地，所述套管的底面为向外凸出的曲面。

进一步地，所述金属针为直径0.3mm的圆柱针。

进一步地，所述套管的外径为2.6mm，高度为8mm。

进一步地，所述金属针位于套管之外的部分的长度为4mm。

本实用新型的有益效果是：PT200温度传感器芯片的薄膜铂层采用激光雕刻成型，替代现有的光刻成型技术，成型精度高，提高了薄膜铂的灵敏度。将PT200温度传感器的套管改为整体式陶瓷套管，替代镍铬合金外套和陶瓷外套的组合式套管，可增强芯片的稳定性和抗震能力，保证使用寿命。对本实用新型的PT200温度传感器进行测试，测试项目和结果如下：

1:耐久测试:850℃下测试1000小时,无损失；

2:绝缘电阻测试:20℃时100MOhm；650℃时2MOhm；

3:反应时间:在2m/s风速下t50＝3.3s t90＝13s；

4:震动测试:8ms半波长度下40g加速度，已通过。

附图说明

图1是PT200温度传感器芯片的示意图。

图2是PT200温度传感器的示意图。