[实用新型]一种像素补偿电路有效
申请号: | 201921855330.3 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN210805180U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 卢昭阳;罗敬凯 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;H01L27/32 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;郭鹏飞 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 补偿 电路 | ||
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、电容C,所述T1的源极与T3的源极连接,T1的漏极与T5的栅极和T6的栅极连接,所述T3的漏极与T5的源极连接,T5的漏极与T6的源极连接,所述T1的源极还与T2的栅极和T4的漏极连接,所述T4的源极与T2的源极、T7的漏极连接,所述T2的漏极通过电容与T5的源极连接,所述T2的漏极还与T8的漏极和T9的源极连接,T9的漏极还与有机发光二极管的正极连接;
其中T1、T3、T5、T6为多晶硅薄膜晶体管,设置于基板与介质层之间,所述T2、T4、T7、T8、T9为氧化物薄膜晶体管,设置于介质层上方。
2.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述电容C设置于介质层下方。
3.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,包括穿透介质层设置的连接线,T4的栅极与T2之间、T4的漏极与C2之间、有机发光二极管负极与T3的漏极之间分别用连接线连接。
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