[实用新型]一种基于表面等离激元共振的光电探测器有效
申请号: | 201921853770.5 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN210429850U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 周鹏;郑改革;花小敏;邹秀娟 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0232 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人: | 刘林峰 |
地址: | 210044 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 表面 离激元 共振 光电 探测器 | ||
1.一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:
包括栅极(1-7),所述栅极(1-7)上方向上依次设有绝缘体介质层(2)和半导体层(3),半导体层(3)在水平方向上分布有若干个,所述绝缘体介质层(2)上侧连接有分别位于半导体层(3)两侧的源极(1-2)和漏极(1-6);
各半导体层(3)上侧还设有源极电极(1-4),相邻源极电极(1-4)之间设有漏极电极(1-3),源极电极(1-4)与漏极电极(1-3)形成亚波长光栅结构,各源极电极(1-4)皆连接于源极(1-2),各漏极电极(1-3)皆连接于漏极(1-6)。
2.根据权利要求1所述的一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:栅极(1-7)为金属铝层。
3.根据权利要求1所述的一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:绝缘体介质层(2)为二氧化硅绝缘体介质层。
4.根据权利要求3所述的一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:绝缘体介质层(2)设有100nm厚。
5.根据权利要求1所述的一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:半导体层(3)为n型半导体层(3)。
6.根据权利要求1所述的一种基于表面等离激元共振的光电探测器,其特征在于:亚波长光栅结构周期为400nm,占空比为0.25。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的