[实用新型]一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路

权利要求书

1.一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元，驱动单元，短路保护单元、V_DS检测单元以及V_G检测单元，其特征在于：

所述驱动单元，用于向待测SiC MOSFET栅极提供开通与关断的驱动电压，以及在发生短路时降低驱动电压；

所述短路保护单元，用于检测短路故障，并输出故障信号；

所述的V_DS检测单元，用于检测待测SiC MOSFET的漏极电压V_DS的状态，判断漏极电压是否进入导通压降状态，并输出漏极状态信号；

所述V_G检测单元，用于检测待测SiC MOSFET的栅极电压V_G的状态，判断是否出现栅极过压尖峰，并输出栅极状态信号；

所述逻辑单元，用于对故障信号、漏极状态信号、栅极状态信号以及开关信号进行逻辑组合，向驱动单元输出栅极控制信号。

2.根据权利要求1所述的一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，其特征在于，所述逻辑单元采用数字芯片CPLD实现逻辑控制，或者采用与、非门搭建模拟电路实现逻辑控制。

3.根据权利要求1所述的一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，其特征在于，所述驱动单元提供两个正驱动电压和一个负驱动电压，其中较大的正驱动电压和负驱动电压分别用于提供待测SiC MOSFET正常导通和关断状态的栅极电压，另一个较小的正驱动电压用于在发生一类短路和二类短路时限制栅极电压。

4.根据权利要求3所述的一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，其特征在于，所述驱动单元为保证待测SiC MOSFET正常开通速率，较小正驱动电压电路的栅极电阻要小于较大的正驱动电压电路的栅极电阻。

5.根据权利要求1所述的一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，其特征在于，所述V_DS检测单元采用快速高压二极管电路将检测电路与漏极高电压相隔离，漏极电压检测单元与短路保护单元可共用该二极管电路。

6.根据权利要求1所述的一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，其特征在于，所述V_G检测电路采用滞环比较器。