[实用新型]OLED面板结构和显示装置有效
申请号: | 201921843553.8 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN210296380U | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 张冲森 | 申请(专利权)人: | 东莞市能特自动化科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 杨鹏 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 结构 显示装置 | ||
本实用新型实施例提供一种OLED面板结构和显示装置,涉及显示技术领域。该OLED面板结构包括:衬底;设置在所述衬底上的第一子像素;设置在所述第一子像素上的第一柔性透明封装层;设置在所述第一柔性透明封装层上的第二子像素;其中,所述第一柔性透明封装层用于隔离所述第一子像素和所述第二子像素。该显示装置包括上述的OLED面板结构。上述的OLED面板结构和显示装置避免了OLED像素的混色问题,提高了OLED面板制造良率,同时也降低了加工难度和制作成本。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种OLED面板结构和显示装置。
背景技术
OLED作为新一代固态自发光显示技术,相较于液晶显示具有超薄、响应度高、对比度高、功耗低等优势,近几年产业化速度突飞猛进。
目前OLED主流的制备技术和方法是蒸镀法,即在真空腔体内加热有机小分子材料,使其升华或者熔融气化成材料蒸汽,透过金属光罩的开孔沉积在玻璃基板上。封装方式采用玻璃或阻水氧层盖板涂布封装材料的方法,压合基板与盖板后固化强化封装胶材的方法而实现对OLED元器件的水氧阻隔。
在中小尺寸OLED面板制造中,普遍采用RGB像素并置法制作OLED panel,此工序普遍性最大问题在于RGB像素之间相互串扰混色,面板解析度越高,出现的概率越高。混色问题成为制约OLED面板良率提高的主要因素。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种OLED面板结构和显示装置,其能够避免OLED像素的混色问题,提高OLED面板制造良率,同时也降低加工难度和制作成本。
本实用新型的实施例是这样实现的:
第一方面,本实用新型实施例提供一种OLED面板结构,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的第一子像素;
设置在所述第一子像素上的第一柔性透明封装层;
设置在所述第一柔性透明封装层上的第二子像素;
其中,所述第一柔性透明封装层用于隔离所述第一子像素和所述第二子像素。
在可选的实施方式中,所述第一子像素在所述衬底上的正向投影为第一投影区域,所述第二子像素在所述衬底上的正向投影为第二投影区域,所述第一投影区域与所述第二投影区域部分或完全重合。
在可选的实施方式中,所述第一柔性透明封装层为无机层或有机层。
在可选的实施方式中,所述OLED面板结构还包括:
设置在所述衬底上或所述第一柔性透明封装层上的第三子像素。
在可选的实施方式中,所述OLED面板结构还可以包括:
设置在所述第二子像素上的第二柔性透明封装层;
设置在所述第二柔性透明封装层上的第三子像素;
其中,所述第二柔性透明封装层用于隔离所述第二子像素和所述第三子像素。
在可选的实施方式中,所述第一子像素在所述衬底上的正向投影为第一投影区域,所述第二子像素在所述衬底上的正向投影为第二投影区域,所述第三子像素在所述衬底上的正向投影为第三投影区域,所述第三投影区域与所述第一投影区域或所述第二投影区域部分或完全重合。
在可选的实施方式中,所述第一投影区域、所述第二投影区域和所述第三投影区域中的至少两者完全重合。
在可选的实施方式中,所述第二柔性透明封装层为无机层或有机层。
在可选的实施方式中,所述第一子像素为成阵列排布的多个,所述第二子像素为成阵列排布的多个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市能特自动化科技有限公司,未经东莞市能特自动化科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921843553.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种磁盘阵列存储装置
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的