[实用新型]一种槽式硅片加工机台有效
申请号: | 201921840700.6 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN210692495U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 易书令;马晓林;潘岳林;姜大俊;潘励刚;郑旭然 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 加工 机台 | ||
本实用新型公开了一种槽式硅片加工机台,其包括内槽、外槽、加热装置和均液管,内槽被配为盛放硅片花篮,外槽环绕内槽设置,外槽的上端面高于内槽的上端面,外槽上设有出液口,加热装置包括加热壳体和配合在加热壳体内的加热件,加热壳体位于外槽的外侧,加热壳体具有液体进口和液体出口,液体进口与出液口相连,加热件的外侧设有防腐蚀层,均液管设在内槽内,均液管上设有多个均液孔和进液口,进液口与液体出口相连。该槽式硅片加工机台能够较好地避免加热装置对药液的污染,并且能够较好地保证反应槽内的药液温度较为均匀。
技术领域
本实用新型涉及光伏设备技术领域,尤其涉及一种槽式硅片加工机台。
背景技术
目前主流的槽式机台加热装置仍设计为内置加热,即加热装置安装至槽式机台底部,在设定温度下进行通电加热。由于加热装置整个线路安装至槽体中,经过强酸强碱的高温腐蚀下,很容易形变、破损、变色,内部金属泄露极容易造成槽体污染,直接导致硅片电性能偏低、EL出现晶界痕。且加热装置影响整个药液循环,造成批量色差片,给整个制绒工序带来极大损失。
此外,为了保证槽式机台内部药液的温度较为均匀,加热装置通常采用电加热板,电加热板通常由很多小电阻丝组成,这样更容易被药液腐蚀从而污染药液。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种槽式硅片加工机台,该槽式硅片加工机台能够较好地避免加热装置对药液的污染,并且能够较好地保证反应槽内的药液温度较为均匀。
为实现上述技术效果,本实用新型实施例的槽式硅片加工机台的技术方案如下:
一种槽式硅片加工机台,包括:内槽,所述内槽被配为盛放硅片花篮;外槽,所述外槽环绕所述内槽设置,所述外槽的上端面高于所述内槽的上端面,所述外槽上设有出液口;加热装置,所述加热装置包括加热壳体和配合在所述加热壳体内的加热件,所述加热壳体位于所述外槽的外侧,所述加热壳体具有液体进口和液体出口,所述液体进口与所述出液口相连,所述加热件的外侧设有防腐蚀层;均液管,所述均液管设在所述内槽内,所述均液管上设有多个均液孔和进液口,所述进液口与所述液体出口相连。
在一些实施例中,所述槽式硅片加工机台还包括温度检测件,所述温度检测件设在所述内槽内,所述温度检测件被配置为检测所述内槽的药液温度,所述温度检测件与所述加热件电连接。
在一些实施例中,所述槽式硅片加工机台还包括输送泵,所述输送泵设在所述出液口与所述液体进口之间。
在一些可选的实施例中,所述槽式硅片加工机台还包括第一液位传感器,所述第一液位传感器设在所述外槽上,所述第一液位传感器被配置为检测所述外槽内的液面高度,所述第一液位传感器与所述输送泵电连接。
在一些具体的实施例中,所述槽式硅片加工机台还包括第二液位传感器,所述第二液位传感器设在所述加热壳体上,所述第二液位传感器被配置为检测所述加热壳体内的液面高度,所述第二液位传感器与所述输送泵电连接。
在一些更具体的实施例中,所述第二液位传感器位于所述液体出口的上方。
在一些可选的实施例中,所述槽式硅片加工还包括分流管和控制阀,所述分流管的一端连接在输送泵上,另一端与所述均液管的所述均液孔相连,所述分流管上设有分流阀,所述控制阀设在所述均液管与所述出液口之间。
在一些具体的实施例中,所述槽式硅片加工机台还包括花篮支架,所述花篮支架设在所述内槽内,所述花篮支架被配置为支撑所述硅片花篮。
在一些更具体的实施例中,所述均液管的两端配合在所述花篮支架上,所述均液管与所述内槽的底壁间隔设置。
在一些更具体实施例中,多个所述均液孔沿所述均液管的长度方向均匀间隔分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造