[实用新型]半导体结构及电子设备

说明书

本实用新型实施例涉及一种半导体结构及电子设备，半导体结构包括：基底以及位于所述基底上的至少两个分立的凸起部；阻隔层，所述阻隔层填充于相邻所述凸起部之间；其中，所述阻隔层包括间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；位于所述阻隔层内的凹槽，所述凹槽侧壁垂直于所述基底；或者，在远离所述基底的方向上，所述凹槽的宽度增大。本实用新型通过设置具有预设形状的凹槽，保证凹槽能够被均匀填充。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及电子设备。

背景技术

深沟槽刻蚀一直是半导体制造过程中常见的工艺，而随着制程线宽变小，沟槽的深宽比越来越大，形状要求也越来越严格。为了实现高深宽比沟槽的刻蚀，现有工艺通常需要更厚或者更硬的阻挡层来满足沟槽开口的精度要求，如此，才能够避免在刻蚀过程中阻挡层开口被刻蚀，进而避免沟槽的开口宽度增加，满足沟槽的深宽比要求。

但是，在保证开口宽度的情况下，凹槽的形状依旧难以保证。以干法刻蚀为例，在干法刻蚀过程中，需要调节刻蚀用气体的组分，而在刻蚀过程中，气体的流动方向以及均匀性都难以保证，从而导致刻蚀出来的凹槽形状与预设凹槽形状之间具有一定的差异。这一差异在刻蚀特殊形状的凹槽时更为明显。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种半导体结构及电子设备，通过设置具有预设形状的凹槽，保证凹槽能够被均匀填充。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的至少两个分立的凸起部；阻隔层，所述阻隔层填充于相邻所述凸起部之间；其中，所述阻隔层包括间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；位于所述阻隔层内的凹槽，所述凹槽侧壁垂直于所述基底；或者，在远离所述基底的方向上，所述凹槽的宽度增大。

另外，所述间隙区域内具有掺杂离子，所述掺杂离子用于降低所述间隙区域的刻蚀速率。

另外，所述掺杂离子的类型包括砷、铟或铬。

在所述凸起部的排列方向上，相邻所述凸起部之间的阻隔层内具有两个分立的所述凹槽。

另外，所述凹槽的深宽比为4：1～6：1。

另外，所述阻隔层包括中间区域，所述中间区域位于相邻所述凹槽之间，所述中间区域内具有掺杂离子，所述掺杂离子用于降低所述中间区域的刻蚀速率。

另外，所述中间区域相对两侧的所述掺杂离子的浓度大于所述中间区域的中间位置的所述掺杂离子的浓度。

另外，所述凸起部包括导电层和位于所述导电层侧面的侧墙；所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间，具体包括：所述间隙区域位于所述侧墙与所述基底之间。

另外，所述导电层包括位线结构。

相应的，本实用新型还提供一种电子设备，所述电子设备包含上述半导体结构。

与现有技术相对，本实用新型实施例提供的技术方案具有以下优点：

本实用新型提供一种半导体结构，凹槽侧壁垂直于基底，或者，在远离基底的方向上，凹槽的宽度增加，从而能够保证凹槽能够被均匀填充。

另外，所述间隙区域的刻蚀速率降低，有利于保证凹槽不会位于凸起部和基底之间，从而保证凹槽被均匀填充。

另外，中间区域的掺杂离子浓度较大，有利于减少需要注入的离子剂量，降低制造成本。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的部件表示为类似的部件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。