[实用新型]一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路有效
| 申请号： | 201921836645.3 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN210666857U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 徐卫林;胡斯哲;许新愉;杨文琛;韦家锐;莫新锋;温剑钧 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器桥式触突 工作 模式 配置 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路，包括4个忆阻器M1、M2、M3和M4，其特征是，还进一步包括初始化MOS晶体管开关SWINIT，2个接地MOS晶体管开关SWGA和SWGB，权重编程控制MOS晶体管开关SWP，以及信号处理控制MOS晶体管开关SWIN；
初始化MOS晶体管开关SWINIT的一端接初始化信号VINIT，另一端接忆阻器M2的正极；
接地MOS晶体管开关SWGA一端接地，另一端接忆阻器M4的负极；接地MOS晶体管开关SWGB一端接地，另一端接忆阻器M2的正极；
权重编程控制MOS晶体管开关SWP一端接权重编程信号输入端P，另一端接忆阻器M3的负极和忆阻器M1的正极；
信号处理控制MOS晶体管开关SWIN一端接信号输入VIN，另一端接忆阻器M3的负极和忆阻器M1的正极；
忆阻器M3的正极和忆阻器M4的正极共同连接到差分输出端A，忆阻器M1的负极和忆阻器M2的负极共同连接到差分输出端B。
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