[实用新型]智能保护板

权利要求书

1.一种智能保护板，其特征在于，包括：电路基板及保护电路，所述保护电路设置于所述电路基板的一侧面上；

所述保护电路包括电源输入接口、开关单元、ESD保护单元、电量计控制器及电源输出接口，所述电源输入接口分别与所述开关单元的输入端和所述电量计控制器的电源输入端电连接，所述开关单元的输出端与所述ESD保护单元的输入端电连接，所述ESD保护单元的输出端与所述电源输出接口电连接，并且所述电源输入接口、所述开关单元、所述ESD保护单元和所述电源输出接口分别顺序设置于所述电路基板上。

2.根据权利要求1所述的智能保护板，其特征在于，所述ESD保护单元包括电容C7及电容C8，所述电容C8紧靠于所述电容C7设置，并且所述电容C8与所述电容C7垂直设置；

所述电容C7和所述电容C8串联连接，并且所述电容C7还与所述开关单元的输出端电连接，所述电容C8的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的智能保护板，其特征在于，所述ESD保护单元还包括防静电二极管DZ2，所述电容C8位于所述电容C7和所述防静电二极管DZ2之间，并且所述电容C7、所述电容C8、所述防静电二极管DZ2和所述电路基板的边缘共同围成第一安装区，所述电源输出接口设置于所述第一安装区上；

所述防静电二极管DZ2的阴极与所述开关单元的输出端电连接，所述防静电二极管DZ2的阳极接地。

4.根据权利要求1所述的智能保护板，其特征在于，所述开关单元包括电容C10、电容C11、电阻R3、电阻R4及复合型MOS管Q1，所述电容C10和所述电容C11位于所述复合型MOS管Q1的上方，所述电阻R3和所述电阻R4位于所述复合型MOS管Q1的下方，并且所述复合型MOS管Q1紧挨着所述ESD保护单元设置；

所述复合型MOS管Q1的S极管脚与所述电源输入接口电连接，所述复合型MOS管Q1的D极管脚与所述开关单元的输入端电连接，所述电容C10和所述电容C11串联连接，并且所述电容C10还与所述复合型MOS管Q1的S极管脚电连接，所述电容C11的另一端与所述复合型MOS管Q1的D极管脚电连接，所述复合型MOS管Q1的D1极管脚经所述电阻R3与所述电量计控制器的一输入端电连接，所述复合型MOS管Q1的D2极管脚经所述电阻R4与所述电量计控制器的另一输入端电连接。

5.根据权利要求1所述的智能保护板，其特征在于，所述保护电路还包括电流采样单元，所述电流采样单元位于所述开关单元远离所述ESD保护单元的一侧，所述电流采样单元的输入端与所述电源输入接口电连接，所述电流采样单元的采样输出端与所述电量计控制器电连接。

6.根据权利要求5所述的智能保护板，其特征在于，所述电流采样单元包括采样电阻RS1及π型滤波器，所述采样电阻RS1位于所述开关单元的一侧，并且所述采样电阻RS1位于所述π型滤波器的上方；

所述采样电阻RS1的第一端与所述电源输入接口电连接，所述采样电阻RS1的第二端与所述开关单元的输入端电连接，所述π型滤波器与所述采样电阻RS1的两端并联连接，并且所述π型滤波器与所述电量计控制器电连接；

所述π型滤波器包括电阻R15、电阻R16、电容C15、电容C16及电容C5，所述电阻R15和所述电阻R16紧靠于所述采样电阻RS1，所述电容C15和所述电容C16分别对应设置于所述电阻R15和所述电阻R16的下方，所述电容C5紧靠所述电量计控制器设置；

所述电阻R15的一端与所述采样电阻RS1的第一端电连接，所述电阻R15的另一端与所述电容C5的第一端电连接，所述电阻R16的一端与所述采样电阻RS1的第二端电连接，所述电阻R16的另一端与所述电容C5的第二端电连接，所述电容C5的两端分别与所述电量计控制器电连接；

所述电容C15和所述电容C16串联连接，并且所述电容C15和所述电容C16的串联连接节点与所述电源输入接口电连接，所述电容C15的另一端与所述电容C5的第一端电连接，所述电容C16的另一端与所述电容C5的第二端电连接。