[实用新型]一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件有效
| 申请号： | 201921823837.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN210073863U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50213 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 401520 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡层 帽层 本实用新型 栅极氧化层 缓冲结构 过渡层 多层 漏极 源极 沟道载流子 灵活调整 驱动电流 异质金属 栅极结构 阈值电压 迁移率 增强型 衬底 沟道 异质 穿过 恶化 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，包括：
位于Al2O3衬底之上的AlN过渡层；
位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构，所述多层缓冲结构的最上层为第一GaN层；
位于所述第一GaN层之上的AlGaN阻挡层，所述AlGaN阻挡层的厚度为5nm～10nm；
位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；
位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；
位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；
位于所述栅极氧化层之上的异质栅极结构，所述异质栅极结构包括相互接触并列设置的两种功函数不同的金属栅极。
2.根据权利要求1所述的一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，所述多层缓冲结构，包括：
位于所述AlN过渡层之上的GaN缓冲层；
位于所述GaN缓冲层之上的低温GaN缓冲层；
位于所述低温GaN缓冲层之上的所述第一GaN层。
3.根据权利要求1所述的一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于：
所述源极和漏极顶端高于所述GaN帽层。
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