[实用新型]一种用于半导体或光伏材料加工设备的挡板有效
申请号: | 201921807034.6 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN211238155U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 刘群;林佳继;庞爱锁;朱太荣;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 材料 加工 设备 挡板 | ||
本实用新型提供一种用于半导体或光伏材料加工设备的挡板,包括片状板体,所述片状板体设置在用于半导体或光伏材料加工设备的炉管下方,所述片状板体具有一定的弧度,所述片状板体的宽度不小于炉管宽度;本实用新型通过设置挡板,能够有效炉管上或者炉管周围的加工废物或杂物掉落而影响设备的其他部分,本实用新型的挡板和炉管的长度和宽度接近,也不会与设备内的其他部件干涉,并且,本实用新型的挡板采用中间低两边高的结构,能够向中部聚拢所接收的掉落物,有效防止二次掉落,此外,本实用新型的底部设置板固定工位,能够防止挡板自身的震动因此的不稳定性。
技术领域
本实用新型涉及半导体或光伏材料的加工设备,尤其涉及用于加工设备中阻挡杂物掉落的挡板。
背景技术
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等。
在半导体材料加工的过程中,炉管的高温作业可能会产生一些加工废物或杂物,这些加工废物或杂物在加工的过程中可能会附着在炉管表面,当炉管从反应室内退出时,由于温度的变化,这些加工废物或杂物可能会从炉管上掉落,在掉落的时候往往带有高温,如果没有隔挡,高温掉落物可能会损伤设备中在炉管下层的部件,抑或造成污染。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是,针对背景技术中存在的情况,提供一种用于半导体或光伏材料加工设备的挡板。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是:
一种用于半导体或光伏材料加工设备的挡板,包括片状板体,所述片状板体设置在用于半导体或光伏材料加工设备的炉管下方,所述片状板体的宽度不小于炉管宽度,在一些优选的方式中,片状板体的宽度需要超出炉管宽度,但是考虑到加工设备的整体设计,片状板体也不宜过宽,以免和其他结构发生干涉。
进一步地,所述片状板体具有一定的弧度,这个弧度是相对于平板来说的,具有一定的弧度,有利于聚集掉落物,防止掉落物二次从板体上掉落。
进一步地,所述片状板体的中部向下凹进,形成低洼部位,其两侧的高度高于中部,形成隔挡部位。其中,低洼部位用于聚集掉落物,隔挡部位用于放置掉落物滑出。
进一步地,所述片状板体连接在机架上,用于固定自身。
进一步地,所述片状板体的底部设有支撑结构。进一步地,所述片状板体的长度不小于炉管长度。在一些优选的方式中,片状板体的长度需要超出炉管长度,但是考虑到加工设备的整体设计,片状板体也不宜过长,以免和其他结构发生干涉。
进一步地,所述片状板体设置在上层炉管与下层炉管之间,在一些优选的方式中,可能会有多层炉管设置,在这种情况下,上下层炉管之间也需要设置挡板,防止上层炉管的掉落物影响下层炉管。
进一步地,所述挡板包括至少一个片状板体,在一些优选的方式中,挡板可以包含多个片状板体,分别位于不同层的炉管下方。
进一步地,当所述挡板超过一个时,其从上到下对齐排列,上下对齐排列起到将上下层隔断的作用,如果上下层错开,则无法隔断上下层之间的掉落物。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置挡板,能够有效炉管上或者炉管周围的加工废物或杂物掉落而影响设备的其他部分,本实用新型的挡板和炉管的长度和宽度接近,也不会与设备内的其他部件干涉,并且,本实用新型的挡板采用中间低两边高的结构,能够向中部聚拢所接收的掉落物,有效防止二次掉落,此外,本实用新型的底部设置板固定工位,能够防止挡板自身的震动因此的不稳定性。
附图说明
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