[实用新型]一种Si衬底GaSe可见光探测器有效
| 申请号： | 201921806959.9 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN210805799U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 gase 可见光 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。
2.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度为5-6nm。
3.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极为叉指电极。
4.根据权利要求3所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极中，Ti金属层的厚度为25-35nm。
5.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，所述第二GaSe功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。
6.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极中，Ni金属层的厚度为90～110nm。
7.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层电极中，Au金属层的厚度为90～110nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
