[实用新型]氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达有效
| 申请号： | 201921800801.0 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN210578467U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 何川;赵起越 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353;H03K3/01;G01S7/484;G01S7/282 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 hemt 集成电路 电路 pfc 雷达 | ||
1.一种氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；
所述反向续流单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与所述第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；
所述泄放单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为所述第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。
2.根据权利要求1所述的氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，所述反向续流单元包括：第二氮化镓HEMT管；
所述第二氮化镓HEMT管的源极与所述第一氮化镓HEMT管的漏极连接，漏极与所述第一氮化镓HEMT管的源极连接；
所述第二氮化镓HEMT管的栅极与漏极连接。
3.根据权利要求2所述的氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，所述反向续流单元还包括：第三氮化镓HEMT管及第一电阻；
所述第一电阻的第一端与所述第一氮化镓HEMT管的漏极连接，第二端与所述第二氮化镓HEMT管的源极连接；
所述第三氮化镓HEMT管的栅极与所述第二氮化镓HEMT管的源极连接，漏极与所述第一氮化镓HEMT管的源极连接，源极与第一电阻的第一端连接。
4.根据权利要求3所述的氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，所述泄放单元包括：第二电阻、第三电阻及第四氮化镓HEMT管；
所述第二电阻的第一端连接所述第四氮化镓HEMT管的栅极，第二端用于接地；
所述第三电阻的第一端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，第二端连接所述第四氮化镓HEMT管的栅极；
所述第四氮化镓HEMT管的漏极连接所述第三电阻的第一端，源极用于接地。
5.根据权利要求4所述的氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，所述泄放单元还包括：第四电阻及第五氮化镓HEMT管；
所述第四电阻的第一端连接所述第四氮化镓HEMT管的源极，第二端用于接地；
所述第五氮化镓HEMT管的源极连接所述第四电阻的第二端，漏极连接所述第四氮化镓HEMT管的漏极，栅极连接所述第四电阻的第一端。
6.根据权利要求5所述的氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻及所述第四电阻为2DEG电阻。
7.一种反激电路，包括开关单元，其特征在于，所述开关单元包括如权利要求1至6任一项所述的氮化镓HEMT管集成电路。
8.一种无桥PFC电路，包括高频开关单元，其特征在于，所述高频开关单元包括如权利要求1至6任一项所述的氮化镓HEMT管集成电路。
9.一种激光雷达，其特征在于，所述激光雷达的激光发射电路包括如权利要求1至6任一项所述的氮化镓HEMT管集成电路。
10.一种毫米波雷达，包括脉冲发生器，其特征在于，所述脉冲发生器包括如权利要求1至6任一项所述的氮化镓HEMT管集成电路。
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