[实用新型]一种双向可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：

P型衬底(101)，所述P型衬底(101)内从左到右依次设有第一P+注入区(601)、N型埋层(201)及第六P+注入区(608)，所述N型埋层(201)上方从左到右依次设有第一N型深阱(501)、第一P阱(401)、N阱(301)、第二P阱(402)及第二N型深阱(502)，所述第一P阱(401)内从左到右依次设有位置跨在所述第一N型深阱(501)与所述第一P阱(401)上的第二P+注入区(602)、第一N+注入区(603)及第三P+注入区(604)，所述第二P阱(402)内从左到右依次设有第四P+注入区(605)、第二N+注入区(606)及位置跨在所述第二P阱(402)与所述第二N型深阱(502)上的第五P+注入区(607)；其中，所述N型深阱(502)与所述第二P阱(402)组成正向路径反向击穿面D2，所述N型深阱(501)与所述第一P阱(401)组成反向路径反向击穿面D1，所述第一N+注入区(603)与所述第三P+注入区(604)分别连接阳极，所述第四P+注入区(605)和所述第二N+注入区(606)分别连接阴极。

2.根据权利要求1所述的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述双向可控硅静电防护器件作为片上静电防护器件时，所述P型衬底(101)、所述第一P+注入区(601)及所述第六P+注入区(608)分别接地。

3.根据权利要求1所述的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一P+注入区(601)与所述第二P+注入区(602)间设有氧隔离区(701)，所述第二P+注入区(602)与所述第一N+注入区(603)间设有氧隔离区(702)，所述第一N+注入区(603)与所述第三P+注入区(604)间设有氧隔离区(703)，所述第三P+注入区(604)与所述第四P+注入区(605)间设有氧隔离区(704)，所述第四P+注入区(605)与所述第二N+注入区(606)间设有氧隔离区(705)，所述第二N+注入区(606)与所述第五P+注入区(607)间设有氧隔离区(706)，所述第五P+注入区(607)与所述第六P+注入区(608)间设有氧隔离区(707)。

4.根据权利要求1所述的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述N型深阱(501)、所述N型埋层(201)和所述N阱(301)将所述第二P+注入区(602)、所述第一N+注入区(603)、所述第三P+注入区(604)和所述第一P阱(401)包围在中间。

5.根据权利要求1所述的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述N型深阱(502)、所述N型埋层(201)和所述N阱(301)将所述第四P+注入区(605)、所述第二N+注入区(606)、所述第五P+注入区(607)和所述第二P阱(402)包围在中间。