[实用新型]阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，像素电极和透明导电图形同层地设置在衬底基板上，栅极设置在透明导电图形之上，栅极绝缘层覆盖在设有透明导电图形、栅极以及像素电极的衬底基板上，金属氧化物半导体图形和保护图形依次层叠设置在栅极绝缘层上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体图形之上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和栅极在同一次光刻工艺中形成。本实用新型能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六次光刻工艺过程，包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻工艺，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻工艺，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻工艺，以形成刻蚀阻挡图形；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻工艺，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻工艺，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻工艺，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。

上述现有技术提供的六次光刻工艺过程，工艺复杂，制作成本高。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

第一方面，本实用新型提供一种阵列基板包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，像素电极和透明导电图形同层地设置在衬底基板上，栅极设置在透明导电图形之上，栅极绝缘层覆盖在设有透明导电图形、栅极以及像素电极的衬底基板上，金属氧化物半导体图形和保护图形依次层叠设置在栅极绝缘层上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体图形之上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和栅极在同一次光刻工艺中形成。

选的，透明导电图形和像素电极采用相同材料沉积而成。

可选的，还包括设置在金属氧化物半导体图形上的保护图形。

可选的，还包括覆盖在栅极绝缘层之上的金属氧化物半导体层和保护层，以及隔离过孔，隔离过孔贯穿保护层、金属氧化物半导体层以及栅极绝缘层，且隔离过孔在衬底基板上的投影环绕源极和漏极，位于隔离过孔围成的范围内的金属氧化物半导体层和保护层形成金属氧化物半导体图形和保护图形。

可选的，在保护图形上设有贯穿保护图形的第一过孔和第二过孔，第一过孔用于使源极和金属氧化物半导体图形接触，第二过孔用于使漏极和金属氧化物半导体图形接触。

可选的，在阵列基板上还设有贯穿保护图形、金属氧化物半导体图形以及栅极绝缘层的接触过孔，接触过孔延伸到像素电极上，在接触过孔内设有漏极金属，漏极金属与漏极电连接，以将漏极和像素电极电连接。

可选的，第二过孔和接触过孔连通。

可选的，金属氧化物半导体为铟镓锌氧化物IGZO。

可选的，像素电极为氧化铟锡ITO薄膜。