[实用新型]防灯闪的单火线关态取电电路和防灯闪的单火线开关电路有效
| 申请号: | 201921788401.2 | 申请日: | 2019-10-23 | 
| 公开(公告)号: | CN211090082U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 | 
| 发明(设计)人: | 叶德火;杨连池;张国忠 | 申请(专利权)人: | 厦门盈趣科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H05B47/10 | 分类号: | H05B47/10 | 
| 代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 | 
| 地址: | 361000 福建省厦门市海沧区*** | 国省代码: | 福建;35 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防灯闪 火线 关态取电 电路 开关电路 | ||
1.一种防灯闪的单火线关态取电电路,其特征在于,包括:
蓄电电容,所述蓄电电容用于将单火线的输入电压进行滤波蓄电;
电流控制单元,所述电流控制单元连接在所述蓄电电容的前端;若所述蓄电电容的正端电压小于第一阈值电压,所述电流控制单元具有第一总电阻值;若所述蓄电电容的正端电压大于或等于所述第一阈值电压,所述电流控制单元具有第二总电阻值;所述第一总电阻值大于所述第二总电阻值;
过压导通单元,所述过压导通单元连接在所述蓄电电容的后端;若所述蓄电电容的正端电压小于第二阈值电压,所述过压导通单元为不导通结构;若所述蓄电电容的正端电压大于或等于所述第二阈值电压,所述过压导通单元为导通结构;
所述第一阈值电压小于或等于所述第二阈值电压。
2.如权利要求1所述的单火线关态取电电路,其特征在于,所述电流控制单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一控制器件和第二控制器件;
所述第一电阻的第一端连接单火线的输入电压端,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接所述蓄电电容的正端,所述蓄电电容的负端连接参考地;
所述第三电阻的第一端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第三电阻的第二端连接所述第四电阻的第一端;
所述第一控制器件的输入端连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第一控制器件的输出端连接所述第二电阻的第二端,所述第一控制器件的控制端连接在所述第三电阻和所述第四电阻之间;
所述第五电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端,所述第五电阻的第二端连接所述第六电阻的第一端,所述第六电阻的第二端连接参考地;
所述第二控制器件的输入端连接所述第四电阻的第二端,所述第二控制器件的输出端连接参考地,所述第二控制器件的控制端连接在所述第五电阻和所述第六电阻之间。
3.如权利要求2所述的单火线关态取电电路,其特征在于:
所述第一控制器件为第一增强型PMOS管,所述第一增强型PMOS管的源极作为输入端,所述第一增强型PMOS管的漏极作为输出端,所述第一增强型PMOS管的栅极作为控制端;
所述第二控制器件为第一增强型NMOS管,所述第一增强型NMOS管的漏极作为输入端,所述第一增强型NMOS管的源极作为输出端,所述第一增强型NMOS管的栅极作为控制端。
4.如权利要求2或3所述的单火线关态取电电路,其特征在于,所述过压导通单元包括电压控制导通器、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第三控制器件和第四控制器件;
所述电压控制导通器的输入端连接所述蓄电电容的正端,所述电压控制导通器的输出端作为所述过压导通单元的输出端;
所述第七电阻的第一端连接所述电压控制导通器的输入端,所述第七电阻的第二端连接所述第八电阻的第一端;
所述第三控制器件的输入端连接所述电压控制导通器的输入端,所述第三控制器件的输出端连接所述电压控制导通器的输出端,所述第三控制器件的控制端连接在所述第七电阻和所述第八电阻之间;
所述第九电阻的第一端连接所述电压控制导通器的输出端,所述第九电阻的第二端连接所述第十电阻的第一端,所述第十电阻的第二端连接参考地;
所述第四控制器件的输入端连接所述第八电阻的第二端,所述第四控制器件的输出端连接参考地,所述第四控制器件的控制端连接在所述第九电阻和所述第十电阻之间。
5.如权利要求4所述的单火线关态取电电路,其特征在于,所述电压控制导通器为高压触发二极管或双向触发二极管。
6.如权利要求4所述的单火线关态取电电路,其特征在于:
所述第三控制器件为第二增强型PMOS管,所述第二增强型PMOS管的源极作为输入端,所述第二增强型PMOS管的漏极作为输出端,所述第二增强型PMOS管的栅极作为控制端;
所述第四控制器件为第二增强型NMOS管,所述第二增强型NMOS管的漏极作为输入端,所述第二增强型NMOS管的源极作为输出端,所述第二增强型NMOS管的栅极作为控制端。
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