[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，所述芯片包括外延层、透明导电层、反射层、阻挡层、第一钝化层、钝化支撑层、连接电极和焊接电极，所述钝化支撑层结合在连接电极和第一钝化层上，所述焊接电极结合在钝化支撑层上并与连接电极导电连接；所述钝化支撑层由SiO₂、Al₂O₃和SiN_x中的一种制成，厚度为120～170μm，所述钝化支撑层用于支撑芯片并起绝缘的作用；所述外延层发出的光经过反射层反射后，直接从外延层的背面出射。本实用新型的倒装LED芯片，减少了衬底、AlN层、缓冲层等大量体材料的吸光影响，光线直接从外延层的背面出射，出光效率可以提高3％以上。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

倒装LED芯片是近几年新型态的LED，主要功能在于无封装制程，大幅节省生产效能，可应用在大电流上，更可以实现超微小mini型态的LED。

参见图1，传统的倒装LED芯片包括依次设于衬底10上的AlN层11、缓冲层12、外延层20、透明导电层30、反射层40、阻挡层50、钝化层60、第一电极71和第二电极72，传统倒装LED芯片的出光面为衬底一侧，现有的衬底一般为蓝宝石衬底，外延层材料为氮化镓材料，为了减少蓝宝石衬底和外延层之间的晶格失配，在形成外延层之前，需要在蓝宝石衬底上形成AlN层、缓冲层等结构，上述结构统称为大量体材料，这些大量体材料会吸收外延层发出的光，从而降低芯片的出光效率。

此外，现有的LED背光显示器，由多颗倒装LED芯片拼接而成，由于倒装 LED芯片的出光面集中在衬底一侧出射，应倒装LED芯片，背光显示器若要出光均匀，相邻LED芯片之间的距离要足够小，这就需要大量的倒装LED芯片来进行组装，成本较高。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，芯片出光效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：外延层、透明导电层、反射层、阻挡层、第一钝化层、钝化支撑层、连接电极和焊接电极，所述透明导电层结合在外延层的正面上，所述反射层结合在透明导电层上，所述阻挡层结合在反射层上，所述第一钝化层结合在阻挡层上，所述连接电极结合在第一钝化层上并与外延层导电连接，所述钝化支撑层结合在连接电极和第一钝化层上，所述焊接电极结合在钝化支撑层上并与连接电极导电连接，所述钝化支撑层用于支撑芯片并起绝缘的作用，所述外延层发出的光经过反射层反射后，直接从外延层的背面出射。

作为上述方案的改进，所述钝化支撑层由SiO₂、Al₂O₃和SiN_x中的一种制成。

作为上述方案的改进，所述钝化支撑层的厚度为120～170μm。

作为上述方案的改进，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层和反射层之间，有源层的出光从第一半导体层的背面出射。

作为上述方案的改进，所述第一半导体层的背面设有粗化结构，其中，粗化深度为0.8～1.2μm。

作为上述方案的改进，所述连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，其中，第一连接电极贯穿第一钝化层、阻挡层、金属反射层和透明导电层，并与第一半导体层连接；所述第二连接电极贯穿第一钝化层和阻挡层，并与金属反射层连接。

作为上述方案的改进，所述第一钝化层由SiO₂、Al₂O₃或SiN_x制成。

作为上述方案的改进，所述第一钝化层的厚度为6000～10000埃。